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PCRAM

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PCRAM 又称 PCM、OUM(Ovonic UnifiedMemory)和 CRAM(Chalcogenide Random AccessMemory),是一种利用相变材料(一种或多种硫系化合物薄膜)作为存储介质,通过相变材料在电流的焦耳热作用下,在结晶相态(crystalline)和非晶相态(amorphous)之间快速并可逆的转换时,会呈现出的不同电阻率这一特性来实现数据存储的 NVM 技术。

PCRAM 又称 PCM、OUM(Ovonic UnifiedMemory)和 CRAM(Chalcogenide Random AccessMemory),是一种利用相变材料(一种或多种硫系化合物薄膜)作为存储介质,通过相变材料在电流的焦耳热作用下,在结晶相态(crystalline)和非晶相态(amorphous)之间快速并可逆的转换时,会呈现出的不同电阻率这一特性来实现数据存储的 NVM 技术。收起

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    20世纪初的物理学家不会想到,悬浮在物理学大厦上的两朵乌云会彻底颠覆整个物理学体系,冯·诺依曼在参与曼哈顿工程提出新架构时,也不会想到未来阻止芯片算力进步的竟然不是芯片本身。   冯·诺依曼结构的诞生与局限 1945年6月30日,美国正在秘密进行曼哈顿计划。冯·诺依曼作为该计划的重要参与者与领导者,与另外两位组内科学家发表了一篇长达101页的报告,这就是计算机史上著名的“101页报告”,

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