Diodes 公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应用，对更高效率与更高功率密度的需求。

DMWS120H100SM4 在高电压 (1200V) 和汲极电流 (可达 37A) 的条件下运作，同时维持低导热性 (RθJC = 0.6°C/W)，非常适合用于在恶劣环境中运作的应用。这款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低，仅 80mΩ (对于 15V 的闸极驱动)，能将传导耗损降至最低，并提高效率。而这款装置的闸极电荷仅 52nC，可减少开关耗损与降低封装温度。

本产品是市场上首款采用 TO247-4 封装的碳化硅 MOSFET。额外的凯尔文感应接脚可以接到 MOSFET 的源极，以优化切换效能，达到更高的功率密度。