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从下一代的国防和航天应用，到有线电视、VSAT、点对点(PtP)、基站基础设施，Qorvo的GaN(氮化镓)产品和技术为您身边的各种系统提供领先的 性能支持，让您能够随时联网并受到保护。这些领先性能包括：高功率密度、宽频性能、高功率处理……阅读下面的“氮化镓的十个重要事实”，真正了解这个在我 们的工作和生活中发挥重要作用的关键技术。
关于氮化镓的十个重要事实：
一、氮化镓器件提供的功率密度比砷化镓器件高十倍。由于氮化镓器件的功率密度较高，因此可以提供更大的带宽、更高的放大器增益，并且由于器件尺寸的减少，还可提高效率。
二、氮化镓场效应管器件的工作电压比同类砷化镓器件高五倍。由于氮化镓场效应管器件可在更高电压下工作，因此在窄带放大器设计上，设计人员可以更加方便地实施阻抗匹配。所谓 “阻抗匹配”，是指在负载的输入阻抗设计上，使得从器件到负载的功率传输最大化。
三、氮化镓场效应管器件提供的电流比砷化镓场效应管高二倍。由于氮化镓场效应管器件提供的电流比砷化镓场效应器件高二倍，因此氮化镓场效应器件的本征带宽能力更高。
四、氮化镓在器件层面的热通量比太阳表面的热通量还要高五倍! “热通量” 是单位面积的热量输送率。由于氮化镓是高功率密度器件，因此它在非常狭小的空间内散发热量，形成高热通量。这也是氮化镓器件的热设计如此重要的原因。
五、碳化硅的导热性是砷化镓的六倍，是硅的三倍。碳化硅具有高导热性，这使它成为高功率密度射频应用的首选衬底。
六、氮化镓的化学键强度是砷化镓化学键的三倍。因此，氮化镓的能隙更大，能够支持更高的电场和更高的工作电压。
七、氮化镓—氮化铝镓结构的压电性是砷化镓—砷化铝镓结构的五倍。我们知道压电性在氮化镓中很重要。由于氮化镓—氮化铝镓结构具有较高的压电性，因此电气和物理属性之间是相关的。
八、碳化硅基氮化镓材料的晶格错位密度约为砷化镓的10,000倍。因此，与同类砷化镓器件相比，栅极电流往往较高，需要电路设计人员的额外注意。
九、氮化镓—氮化铝的应力是砷化镓—砷化铝的20 倍。由于氮化镓—氮化铝的应变性高于同类砷化镓—砷化铝系统，因此所有层面进行应力分析很重要。
十、TriQuint 的氮化镓器件在200 摄氏度下工作100 万小时，失效率低于0.002%。
