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    • 长江存储诉讼美光多项专利侵权
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深度丨长江存储VS美光:专利诉讼背后的全球存储芯片市场

2023/11/23
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作者 | 方文三

在目前中美半导体之争日益激化的背景下,半导体芯片领域再次引发纠纷。

此次纠纷不同于以往,涉及中国芯片龙头企业与美国存储芯片巨头公司之间的专利较量。

江存储诉讼美光多项专利侵权

根据美国加州北区地方法院公布的文件,长江存储于11月9日向该法院提起了专利侵权诉讼。

指控美光及其子公司侵犯了公司的多项3D NAND技术专利,并称这些侵权行为已用于其固态硬盘产品中。

美光被控侵权的包括96层、128层、176层与232层等3D NAND产品。

目前本次涉案的长江存储专利包括:

US10950623(3D NAND存储器件及其形成方法)、US11501822(非易失性存储装置及控制方法)、US10658378(三维存储器件的直通阵列接触)、US10937806(三维存储器件的直通阵列接触)、US10861872(三维存储器件及其形成方法)、US11468957(NAND存储器操作的体系结构和方法)、US11600342(三维闪存的读取方法)、US10868031(多层堆叠三维存储器件及其制造方法)。

长江存储表示,去年11月,分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论:长江存储是3D NAND闪存领域的领导者,超过了美光。

长江存储在起诉书中明确指出,美光未经授权使用了长江存储的专利技术,借此在市场上抵御来自长江存储的竞争,并获取和保有市场份额。

此次诉讼旨在解决美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash市场来阻止竞争和创新的问题。

长江存储此次的起诉,显然是经过深思熟虑和充分准备的。

这并非针对美光某一项技术或某单一产品的争端,而是涉及多项专利和多产品线的全面起诉。

七年成长来之不易岂能放弃

长江存储成立于2016年7月,总部位于武汉东湖新技术开发区。

公司前身为武汉新芯,自成立以来,一直致力于3D NAND闪存的设计、制造和销售。

在国家政策的大力支持下,长江存储成功实现了3D NAND闪存领域的技术突围。

公司于2017年年底正式推出了首个真正意义上的国产32层3D NAND闪存。

这一重要突破标志着中国在存储器领域取得了重大进展。

2018年8月,长江存储发布了Xtacking(晶栈)技术,该技术在闪存技术架构上实现了突破性创新。

该架构的64层3D NAND闪存具有高存储密度,与当时其他厂商的96层产品相差无几。

这标志着长江存储在该领域具备了较强的竞争力。

基于Xtacking技术,长江存储不断加速赶超,成功跳过96层堆叠,直接进入128层。

该技术简单来说是可以实现并行、模块化产品设计及制造,缩短开发时间和生产周期的同时,还能实现比传统3D NAND技术更高的存储密度与性能。

在这个buff的加持下,长江存储一路开挂。

不仅快速追上与海力士、三星等大厂的距离,并且在同行刚开启商业化时,率先实现量产。

到了2020年,公司已实现128层的NAND量产,与三星等国外大厂在技术上已没有代差。

有业内人士猜测,长江存储已于2022年底低调推出232层NAND闪存堆叠技术,这一成就使其超越了国际存储巨头三星、美光、SK海力士等。

长江存储之所以能在近些年搅局NAND市场,正是在国际存储巨头集体转向3D NAND的重要转折点,抢先一步量产232层闪存颗粒,并交付给第三方企业进行封装流入市场。

根据报告数据,截至2022年,长江存储在全球闪存市场的份额已达到约5%。

仅次于三星、SK海力士、Kioxia、西部数据和美光,成为全球第六大NAND闪存制造商。

经过七年的不懈努力和超过2000亿的资金投入,长江存储作为一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,已在存储领域取得了全球领先的技术成果。

但是,自2022年10月起,长江存储被列入BIS的UVL;同年12月,经过核查,BIS最终决定将长江存储加入其Entity List。

进攻就是最好的防守

尽管长江存储已在美国本土专利储备上进行了充分的准备,但相较于美光近13100项有效的美国专利,其仍然面临着巨大的挑战,仿佛是蚍蜉试图撼动大树。

专利战的真正目的,在于为公司争取公平谈判的机会,以应对出口管制,这是关乎公司生存的战斗。

对于科技公司而言,知识产权是构成其竞争力的重要元素之一,而专利则是知识产权的核心。

科技巨头之间的专利大战,其背后往往并非单纯的金钱利益,市场竞争才是更为关键的一环。

当前美光在国内受到限制,其自身发展又受到半导体周期性的影响,目前仍处在低谷。

对于长江存储而言,这无疑是一个难得的机会。

这或许正应了那句老话:[进攻就是最好的防守]。

长江存储提起的诉讼不仅是为了终止美光未经授权使用其专利创新,也是为了争取更多的谈判优势,以获得更有利的市场竞争地位。

结尾:

回顾历史,专利大战的目的往往并非只是为了赢得官司或获取巨额赔偿,更多的是为了通过诉讼来[止战],这才是很多专利大战背后真正的目的。

希望这次专利诉讼能为长江存储再次争取到一个[窗口],同时也为更多中国半导体企业带来信心。

部分资料参考:

镁客网:《长江存储vs美光:一场中美芯片战的[反围剿]》,中国贸易报:《长江存储起诉美芯片巨头专利侵权,能不能赢?》,物联网圈:《专利诉讼背后的全球存储芯片市场之战》

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长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月,总部位于“江城”武汉, 是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒, 嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心。

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