什么是光刻胶的坚膜与“打胶”？

知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：想问下腐蚀前的坚膜是为了增加胶的附着性，那坚膜后加一步“打胶”，这一步是什么作用，“打胶”该怎么“打”？

光刻胶的组成？

主要有树脂，光引发剂，溶剂以及添加剂等组成。因此，在光刻工艺中，需要不断进行烘烤来除去溶剂。

光刻工艺中烘烤有哪些步骤？

1，软烘烤（Soft Bake）在液态光刻胶匀完胶后，进行的烘烤。去除大部分涂胶过程中残留的溶剂，稳定光刻胶膜层，提高其均匀性。提高后续曝光过程中的图形保真度。

2，曝光后烘烤（Post Exposure Bake, PEB）促进光刻胶中光化学反应的继续进行，减少曝光过程中产生的驻波效应，提高光刻图形的分辨率和对比度3，硬烘烤（Hard Bake）在显影后烘烤光刻胶，使其硬化，增强光刻胶与基材的黏附性，机械强度和耐刻蚀性。如果没有此步，光刻胶在酸碱的溶剂中容易发生脱落等异常。温度不宜过高，容易使光刻胶变形。而我们说的坚膜，一般是指硬烘烤hard bake。

打胶是什么？

打胶可以理解为Ashing或Descum.原理是将氧气通入反应腔室，将其等离子化，与光刻胶反应生成水蒸气、二氧化碳等气体。

主要作用是：

1，光刻胶显影后存在数埃的光刻胶残留或难以被显影液除去的抗反射层，HMDS，增粘层等，通过Ashing工序能够将其除去。

2，改善光刻胶形貌。

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