什么是FCVD？

知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：昨天在直播的时候有你说FCVD，我之前是没有听过这类的CVD，可以详细介绍一下吗？

FCVD是什么？

FCVD，全称是Flowable Chemical Vapor Deposition，即流动化学气相沉积。结合了旋涂电介质 (SOD) 优异的间隙填充性能和 CVD 的工艺稳定性，用来制造线宽在20 纳米以下的ILD（层间介电质）。

FCVD的原理

首先，FCVD采用的是远程等离子的技术，关于远程等离子体，见前面的文章：为什么高端刻蚀设备都选用远程等离子体源（RPS）？

沉积过程分为两步：第一步是沉积，第二步是固化成氧化硅薄膜。

在沉积过程中，温度比较低，被淀积的材料能够以液态形式流动，填充狭小的空间。这与传统的SOD工艺类似，但FCVD的材料是通过CVD工艺沉积的，而SOD则是通过旋涂的方法。关于SOD，见之前的文章：

旋涂绝缘介质（SOD）是什么?

之后，在惰性氛围的环境中，在650℃以下的温度中进行固化，得到固态的氧化硅薄膜。

FCVD的优点

1，极高的填充能力，能够填充深宽比为30：1的结构2，低温工艺，对于温度敏感的芯片产品十分有利。3，薄膜的致密性很好。4，成本仅为SOD的一半

FCVD的应用

3D NAND 闪存芯片

FCVD供应商及型号？

AMAT,型号：Producer® Eterna® FCVD™

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