芯片技术泄密！三星前高管被判入狱7年

三星电子前高管被控向中国公司泄露核心半导体技术，在一审中被判处有期徒刑七年。这是迄今为止因技术泄密罪判处的最长刑期。

首尔中央地方法院第25刑事部（主审法官池贵渊）2月19日对因违反《工业技术保护法》等罪名被起诉的三星电子前副总裁金某判处有期徒刑7年、罚款2亿韩元，对合作公司A公司员工方某判处有期徒刑2年6个月。

法院表示，“这是严重犯罪行为，不仅严重阻碍良性竞争，使受害企业浪费大量时间和金钱，而且实际上会对韩国民族产业的竞争力产生重大负面影响。”法院还表示，“受害企业的损失不会小，尤其是对三星电子的损失可以预计会达到巨大数额。”

三星电子前副总裁金永哲被指控未经许可泄露有关三星电子的 18 纳米 DRAM 半导体工艺（一项关键的国家技术）的信息，并允许国外公司将其用于产品开发。检察机关认为国外公司是在获得三星电子相关情报后，成功量产半导体，并利用此类数据突破了技术障碍，于去年12月对金某某提起了有期徒刑20年。

韩国国家情报院此前已发现其技术泄露的情况，并于2023年5月向检察机关请求调查。

韩国检察机关怀疑，金某于2016年跳槽至新公司时，泄露了半导体“沉积”相关数据及七项核心工艺相关技术资料，并收受了数千亿韩元贿赂。

调查还发现，他们以税后至少5亿韩元的价格从三星电子及其关联公司挖走了约20名技术人员。

方先生被指控与金先生合谋将半导体设备供应商 A 公司的设计技术数据传输给国外企业。