美光630亿内存项目开工！

美国存储芯片制造商美光科技（Micron Technology）已开始在日本广岛工厂扩建用于下一代AI存储器的生产设施。随着AI服务器对高带宽内存（HBM）的需求激增，此举被视为美光正式向长期由SK海力士和三星电子主导的HBM市场发起有力追赶。

据《日本经济新闻》7月4日报道，美光当天在位于广岛县东广岛市的工厂举行了新制造厂房的动工仪式。该项目总投资额达1.5万亿日元（630亿元人民币），日本经济产业省（METI）承诺提供最高5360亿日元的资金支持。

广岛工厂是美光通过收购2013年破产的日本DRAM制造商尔必达（Elpida Memory）而获得的生产基地，目前是该公司DRAM和HBM生产的核心设施。新厂房预计将承担尖端产品的生产任务，包括用于AI计算的下一代DRAM工艺产品以及HBM4E。

美光执行副总裁Manish Bhatia表示：“我们正在考虑生产超越目前最先进的1γ（gamma）工艺的DRAM产品。”生产计划涵盖下一代DRAM（1δ，即delta）以及作为现有HBM产品后续型号的HBM4E。与HBM3E相比，HBM4系列拥有更宽的数据通道，使AI半导体能够以更高的速度处理海量数据。《日本经济新闻》报道称：“计划于2028年年底开始向新厂房引入生产设备，并逐步提升产能。”

此次扩建是美光为应对全球存储器供应短缺而采取的增产战略的一部分。美光（Micron）首席执行官桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）亲临奠基仪式现场，强调“存储器需求正激增至前所未有的水平”。

美光的此次扩产预计将对HBM（高带宽内存）市场格局产生中长期竞争压力；目前该市场由SK海力士（SK Hynix）主导，三星电子（Samsung Electronics）和美光紧随其后。随着美光确立了针对HBM4E之后代际产品的生产基地，这三大存储器厂商在2028年以后下一代HBM市场的竞争恐将进一步加剧。

日本政府也寄予厚望，力求重建其半导体供应链。尽管日本在半导体材料和设备领域仍保持竞争力，但在成品芯片制造方面已失去往日地位。因此，政府正大力支持各项举措，包括吸引台积电（TSMC）在熊本设厂以及扶持Rapidus开发下一代2纳米工艺。分析人士认为，随着美光在先进DRAM和HBM领域投资的加入，供应链重建工作已开始显现成效。

日本经济产业大臣赤泽亮正（Ryosei Akazawa）表示：“生成式AI推动了存储器需求的增长。”他补充道：“实现国内生产并为全球做出贡献，这对我国而言意义重大。”广岛县方面也预期，这项投资将强化当地供应链，并创造超过1000个就业岗位。

韩中工商联盟总会AI存储专委会委员长、芯枢科技负责人 林美炳

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