JSM5109B MAX250V 1.2A单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

在工业控制、电机驱动、逆变器设计等场景中，功率器件驱动芯片的稳定性与兼容性直接影响系统性能。当你还在为 LM5019B 的采购成本、供货周期发愁时，JSM5019B来了 —— 这款由杰盛微推出的高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，不仅完美兼容 LM5019B，更在性能与可靠性上实现升级，为你的设计提供高性价比替代方案！

一、概览

JSM5109B是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。JSM5109B逻辑输入电平兼容低至 3.3V的 CMOS或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

JSM5109B其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 250V，该浮动通道需要额外的自举电路支持。另外，JSM5109B的高侧与低侧均包含有欠压保护功能。JSM5109B采用SOP-8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作

二、产品特性

-自举工作的浮地通道

-最高工作电压为+250V

-兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑

-dVs/dt 耐受能力可达±50 Vins

-Vs 负偏压能力达-9V

-栅极驱动电压从6V到 20V

-集成欠压锁定电路

--欠压锁定正向闽值 5.5V

--欠压锁定负向闽值 5V

-防直通死区逻辑

--死区时间设定200ns

-芯片传输廷时特性

--开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/140ns

--延迟匹配时间 50ns

-宽温度范围-40°C~125°C

-输出级拉电流/灌电流能力 1.2A/1.5A

-符合 RoSH 标准

-SOIC8 (S)

三、应用范围

-电机控制

-空调/洗衣机

-通用逆变器

-微型逆变器驱动

四、技术参数详解：硬核实力看得见

1. 极限工作范围

超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 VSS 为参考的，环境温度为 25℃。

2. 推荐工作范围：

为了正确地操作，器件应当在以下推荐条件下使用。Vs和 VSS 的偏置额定值是在电源电压为 15V 时进行测量的，无特殊说明的情况下，所有电压参数的额定值是以 VSS为参考的，环境温度为25℃。