芯耀
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C4 Bump 和 C2 Bump 是两种常见的芯片与基板之间的连接方式，有什么区别？
C4 Bump 是什么？
C4（Controlled Collapse Chip Connection）是一种传统凸点互连技术，多用于BGA、FC封装中。
制程流程：
1，在晶圆上先沉积UBM（金属层）结构：通常是 Ti/Cu 或 TiW/Cu。
2，涂上厚达 40μm 的光刻胶，定义焊点位置。
3，在UBM上电镀铜种子层+焊料层（SnPb或SnAg），焊料高度约100 μm。
4，剥离光刻胶，去除多余UBM。
5，回流焊（Reflow） → 焊点形成球形结构。
C2 Bump 是什么？
C2（Chip Connection）也叫微凸点（Micro Bump）或Cu Pillar Bump，多用于高密度、先进封装，如 2.5D/3D封装、HBM堆叠等。
制程流程：
1，与C4一样做UBM → 涂胶 → 曝光 → 图案化。
2，电镀形成 铜柱（Cu Pillar），高度约 30–60 μm。
3，在铜柱顶端 电镀极薄的焊料帽（Solder Cap）。
4，回流后形成顶部微焊点，但没有自对准能力。
C4 vs C2 的对比
| 对比项目 | C4 Bump（传统） | C2 Bump（微凸点/Cu Pillar） |
|---|---|---|
| 结构 | 全部为焊料球 | 铜柱+顶部薄焊料帽 |
| 尺寸 | 直径约100 μm，高度100 μm | 直径20–40 μm，高度20–60 μm |
| Pitch 间距 | > 150 μm | 最小可至 40 μm 以下 |
| 自对准能力 | 有，靠焊料球表面张力 | 无，自对准能力差 |
| 热导率 | 55–60 W/m·K（焊料） | 400 W/m·K（铜） → 散热更好 |
| 电阻率 | 0.12–0.14 μΩ·m（焊料） | 0.0172 μΩ·m（铜） → 导电更优 |
| 适用场景 | 普通Flip Chip封装、BGA等 | 高密度封装、3D堆叠、HBM、SiP等 |
| 焊料消耗 | 焊料量大，成本高 | 焊料用量少，结构稳定 |
C2 是为了适应越来越小的封装间距（fine pitch）而发展出来的。它解决了 C4 在小尺寸时容易短路、翘曲、焊点桥连等问题，同时又大幅提升了电性和散热性。
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