芯耀
与非AI
243
2026年7月15日，光刻机大厂ASML发布了2026年第二季度财报。受益于人工智能（AI）相关设备投资的持续强劲需求，ASML二季度业绩全面超出市场预期，同时显著上调了2026年全年业绩指引，预计营收将达430至450亿欧元。
Q2营收同比增长21.2%
2026年第二季度，ASML实现净销售额93.26亿欧元，同比增长21.2%，环比增长6.4%，超出市场分析师平均预期的88.5亿欧元；毛利率为54.0%，优于市场普遍预期的52%，较第一季度的53.0%提升了1个百分点；净利润为29.18亿欧元，同比增长27.4%，环比增长5.8%，大幅超出分析师平均预期的预期26.3亿元；每股基本收益（EPS） 为7.59欧元，超出市场预期，较上一季度的7.15欧元增长6.2%。
ASML总裁兼首席执行官傅恪礼（Christophe Fouquet）表示：“2026年第二季度，ASML净销售额为93亿欧元，毛利率达54.0%，均高于此前预期，这主要得益于装机售后服务（累计装机售后服务等于净服务和升级方案（field option）销售额的总和）销售额超出预期。”
傅恪礼进一步指出，“人工智能（AI）相关领域的投资持续推进，相关技术不断取得进展，正带动先进逻辑芯片和存储芯片需求增长，进一步巩固了半导体行业的增长前景。在此推动下，我们的客户正继续加快推进产能扩张计划，对ASML产品组合的需求也进一步明确，使我们能够更加清晰地判断未来的长期市场需求。”
ASML首席财务官戴厚杰（Roger Dassen）强调，Q2业绩超预期的主要驱动力是高于预期的装机基础管理（Installed Base Management）销售额。第二季度装机售后服务收入达28亿欧元，高于预期3亿欧元，这主要得益于客户对提高现有生产力的需求，推动了升级业务的显著增长。
中国大陆净系统销售额占比降至14%
从具体的2026年二季度净系统销售情况来看，销售额约为660亿欧元（高于上一季的630亿欧元），其中EUV系统销售销售额占比大幅提升至57%（环比减少了9个百分点），ArFi系统销售额占比升至29%（环比增加6个百分点）。
以净系统的出货量来看，2026年二季度EUV系统出货量为16台，环比持平；ArFi系统为23台，环比减少了14台；ArFdry系统出货量为8台，环比增加了3台；KrF系统出货量为35台，环比增加了5台；I-line系统出货量为9台，环比减少了2台。
总的来说，二季度ASML光刻系统的出货量高于预期，其中新光刻系统销量从一季度的67台增至86台。这些系统主要被客户用于为AI工作负载扩大逻辑芯片和存储芯片的生产规模。
以净系统销售金额的区域占比来看，中国大陆占比进一步降低至14%，环比减少了5个百分点；中国台湾占比30%，环比增加了7个百分点；韩国占比43%，环比减少了2个百分点；美国占比9%，环比减少了3个百分点。
以应用领域所贡献占比来看，逻辑制程占比51%，环比增加了2个百分点；存储制程占比49%，环比减少了2个百分点。
需要指出的是，由于AI需求刺激下，对于存储需求的大涨，导致市场供不应求、价格飙升，促使三星、SK海力士等韩国存储大厂启动扩产，推动了今年一季度ASML来自韩国厂商贡献的净系统销售占比和存储制程占比的大幅提升，第二季度这一占比虽略有下滑，但是仍居全球市场之首。
Q3指引超预期，上调2026年全年指引
ASML预计2026年第三季度净销售额将在110亿至120亿欧元之间，中值远高于分析师一致预期的约102.7亿欧元，毛利率介于55%至57%；研发费用预计约为12亿欧元，销售及管理费用约为4亿欧元。，
戴厚杰还透露，在第三季度的净销售额当中，装机售后服务业务收入预计达29亿欧元。
基于上述业务动态，ASML还预计2026年全年净销售额在430亿至450亿欧元之间（相比一季度给出的360亿至400亿欧元指引大幅提升），毛利率介于54%至56%（相比一季度指引的51%至53%也有增加）。
在2027年6月10日举办的下一届投资者日会议上，ASML将更新长期展望，以反映自上届投资者日会议以来的市场与技术动态变化。
对于上调2026年全年业绩的原因，傅恪礼表示，这是是需求端和供应端共同影响的结果：一方面，来自客户的需求保持强劲；另一方面，依托供应链、制造能力及现场装机服务团队的优势，ASML有能力及时响应客户需求。
傅恪礼进一步指出，终端市场需求推动客户不断加大资本支出，并加速推进其扩产计划，由此带动了自今年起对更多ASML光刻系统的需求。与此同时，ASML也在同步扩大产能、扩充团队，以支持客户未来发展需求。上述动态在逻辑芯片和DRAM（动态随机存取存储器）领域的客户上均有所体现，他们正在与其下游客户签订长期协议，这也促使他们作出更长期的投入和产能规划。
比如在逻辑芯片领域，在AI相关需求推动下，客户正积极扩大现有先进制程节点的产能并推动下一代先进制程节点的产能爬坡。
在存储芯片领域，从近期存储芯片（DDR或HBM）价格的来看，市场处于供不应求的状态，这推动了客户加速其产能扩张计划。与此同时，最新的制程节点需要更多光刻工序，推升光刻在晶圆厂总体投资中的比重，对EUV和浸润式DUV光刻机的需求都有所提升。
傅恪礼预计，综合来看，ASML今年来自先进逻辑芯片领域的收入将增长约25%，来自存储芯片领域的收入将大幅增长约75%。
对于毛利率增长，戴厚杰指出，系统出货量增长也使固定成本摊薄效果更佳，有利于毛利率的增长；今年EUV及浸润式DUV业务表现强劲，产生积极的产品组合效应，进一步提振毛利率；在装机售后服务领域，升级业务的增长是带动毛利率提高的重要因素之一。
2026年Low NA EUV出货量将达65台
对于2026年各类光刻系统的出货，ASML也给出了具体的预期目标。
预计2026年ASML低数值孔径（Low NA）EUV的出货量预计可达65台左右，这推动ASML的EUV业务收入增长约45%。
浸润式DUV的生产速度重新加快，2026年出货量预计可达130台左右，与去年同期水平大致相同。
由于客户对干式DUV的需求也出现增长，预计2026年的出货量将显著提升。
此外，由于先进制程节点不断演进、工艺复杂度持续提升，客户对过程控制的需求持续增加，以及对光学量测和电子束检测产品的应用持续扩大，ASML预计2026年其量测与检测业务也将实现强劲增长。
综合DUV以及量测与检测业务来看，ASML预计2026年相关业务收入共计将增长约25%。
关于装机售后服务业务
ASML装机售后服务业务增长主要来自两部分：
1、升级服务方面，客户正在积极寻求产能扩张，尤其是能够快速见效的升级方案。许多升级服务以软件为主，因此实施时占用设备的时间较少，客户能够较快获得生产率提升。ASML正持续扩大相关升级产品的开发，尽可能为客户提供更多的可选择方案。
2、随着EUV装机规模持续扩大，相应的装机售后服务业务规模也在不断扩展。
戴厚杰预计，2026年装机售后服务业务将增长超过30%。
产能目标大幅提升
傅恪礼透露，ASML与客户正就明年及今后的长期发展保持着建设性沟通，客户对未来业务的预期已经切实转化为ASML 2026上半年强劲的新增订单表现，并且2027年EUV订单目前已基本确定。
为应对市场旺盛的需求，ASML计划基于2026年约65台低数值孔径（Low NA）EUV的产能规划之上，在2027年将产能提升30%，并正研究于2028年进一步提高30%的产能。
“展望2028年，我们已经收到客户大量EUV订单，这也促使我们认真评估在2028年将EUV产能再提高30%的可能性。”傅恪礼说道。
此外，ASML还计划基于2026年约130台浸润式DUV的产能规划之上，在2027年将产能提升30%，并正研究于2028年再提高30%的产能。同事，ASML还将继续大幅拓展其系统升级产品组合。
关于中国市场
虽然今年二季度ASML来自中国大陆的净系统销售额占比进一步降低到了14%，但是戴厚杰表示，“我们仍预计2026年中国市场的净销售额占比将为约20%，与此前预期的比重保持一致。”
戴厚杰解释称，由于公司2026全年总净销售额预期较年初有所上调，在中国市场销售额占比维持不变的情况下，其销售额绝对规模也将相应高于年初预期。由此来看，中国市场的发展与全球市场整体趋势基本一致。此外，中国市场的增量需求主要来自逻辑芯片领域，以本土需求为主导。
英特尔开始采用High NA EUV系统生产Panther Lake
2024年，英特尔和ASML在俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地完成了业界首个商业High NA EUV光刻系统的集成。英特尔Foundry也是首家安装并通过第二代TWINSCAN EXE：5200B验收测试的公司，该型号基于TWINSCAN EXE：5000，提高了输出和叠加精度，同时配备了改进的光源。
在电话会议上，傅恪礼还宣布，英特尔已在其最先进产品的批量制造中使用高数值孔径（High NA）EUV，意味着市场上英特尔的部分产品已采用 ASML High NA EUV系统生产。傅恪礼强调，这是一个重要的里程碑，证明了High NA EUV的成熟度。
与此同时，ASML最新发布的新闻稿也显示，英特尔Foundry正在Intel 18A工艺节点上采用ASML High NA EUV技术生产其的部分英特尔Core Ultra 3系列处理器。通过这一宣布，英特尔Foundry成为业界首家采用High NA EUV发布大量逻辑产品的公司。
ASML指出，英特尔 Core™ Ultra 3系列处理器代号为Panther Lake，基于Intel 18A构建，利用高NA EUV对这些产品特定层进行图案化，为ASML和英特尔Foundry提供了有用的数据，进一步优化系统设置、运行时间和制造实现。这为更广泛的应用铺平了道路，充分利用了技术的全部能力。
傅恪礼表示：“随着分辨率的提升和工艺控制的提升，High NA EUV的引入标志着半导体光刻技术的重大进展。”“我们自豪地能够在推动人工智能及其他新兴技术进步的更小、更密集的模式化中发挥作用。”
英特尔Foundry执行副总裁兼总经理Naga Chandrasekaran表示：“这一里程碑反映了英特尔与ASML之间的紧密技术合作，展示了High NA EUV如何大规模集成到先进半导体制造中。”“通过对部分Intel 18A产品层的High NA EUV工艺选项进行资格认证，我们现有的工具群为客户提供了更高的产出，同时我们也在开发未来方案，以实现未来节点的前沿性能、密度和制造灵活性。”
编辑：芯智讯-浪客剑
