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向经济效益更优的 8 英寸碳化硅晶圆迭代，已成为全球SiC产业不可逆的主流发展趋势。自2022年全球首条8英寸SiC晶圆产线投产以来，全球产线建设节奏全面提速：2025 年全球已有超20家公司在建或规划8英寸SiC晶圆产线，2026年上半年又有8家以上公司在布局8英寸产线，行业规模化扩张态势愈发清晰。
2026年中外8英寸SiC产线布局进展
随着 8 英寸SiC工艺持续成熟、产线落地节奏加快，行业商用进程全面提速，下游需求迎来爆发式增长，“爆单”成为了行业普遍现象。数据显示，2025年Wolfspeed 8英寸SiC芯片业务同比增长103%，2026 年一季度再度同比增长20.51%；国内上游衬底公司浙江晶瑞预测，2026 年其 8 英寸产品出货量将实现500%-800%的大幅增长。
供需两端的同步爆发，大幅提前了6 英寸向8英寸的替代拐点。据行家说 Research 预测，2028 年全球 8 英寸 SiC 晶圆出货量将正式超越 6 英寸产品。对于全产业链公司而言，这不仅是技术储备与资本实力的比拼，更核心是稳定突破8英寸产能瓶颈、实现高良率量产的综合能力考验，而 8 英寸规模化量产也将推动SiC产业正式迈入规模化爆发期。
2025—2030年全球SiC晶圆出货量预测
作为上游核心SiC 外延材料供应商，天域半导体率先感知到8英寸行业趋势，自 2022 年起全力锚定 8 英寸 SiC 外延技术研发与产线建设，率先卡位大尺寸赛道。凭借前瞻布局与持续技术深耕，2025年8英寸 SiC 外延营收同比增长 8.46 倍，出货量稳居全球前列。伴随产能持续释放、下游汽车、储能、工控等需求持续扩容，2026 年天域半导体 8 英寸业务增长势能持续释放，成长曲线将持续陡峭上行。
8英寸SiC规模化的关键：既要“快”又要“稳”
纵观全球 SiC 产业发展，晶圆尺寸迭代与市场规模扩容呈现极强的正相关性。2017年全球6英寸SiC产能形成推动了特斯拉等车企大规模导入SiC MOSFET 器件，带动全球SiC产业规模从 3 亿美元跃升至38亿美元，涨幅近33倍。
如今，随着8英寸SiC时代到来，行业有望复刻高增长态势，全球市场规模预计将快速逼近 100 亿美元。
SiC晶圆尺寸与市场规模变化情况
相较于 6 英寸晶圆，8 英寸SiC拥有代际级的性价比优势。同等工艺条件下，单晶圆芯片产出数量直接翻倍，叠加更优的良率控制，单颗芯片综合成本显著下降。依托核心成本与产能优势，8英寸商业化进程快速推进，截至 2026 年 7 月，全球已有超 18 家公司推出量产级8英寸 SiC 晶圆，多家Fabless厂商的芯片累计交付量突破数百万颗。
全球8英寸SiC晶圆发布/亮相进展
但8英寸SiC想要彻底替代 6 英寸、成为行业“标配”，核心瓶颈并非简单的原材料成本控制，更是公司在核心工艺、产品良率、稳定量产三大维度的硬核实力比拼。
8英寸SiC晶圆制造的核心损耗，并非来自衬底、外延等原材料成本，而是缺陷失控、良率波动、产能不稳带来的不确定性风险。这类问题会拉长客户产品验证周期，导致SiC公司错失市场窗口期。因此，兼顾技术快速迭代、产能稳定交付的“快且稳”，成为当前8英寸SiC赛道最稀缺的核心竞争力。
在行业竞争中，唯有具备自主可控工艺、快速迭代能力、稳定批量量产能力的公司，才能抢占行业升级红利，而外延工艺作为直接决定SiC器件性能与可靠性的核心环节，更是8英寸SiC赛道竞争的核心制高点。
大尺寸晶圆迭代同步带来SiC外延工艺难度倍增，晶圆翘曲、掺杂不均、厚度偏差、位错缺陷等难题，长期制约8英寸产品良率与品质提升。
当行业多数厂商仍聚焦6英寸工艺优化时，天域半导体已提前启动8英寸SiC技术攻坚。他们于2021 年完成 8 英寸产品技术储备，2022 年启动产业化落地，历经四年迭代优化，自主攻克低 BPD（基平面位错）、零界面缺陷、大尺寸均匀厚膜等核心工艺，全面解决了8英寸 SiC 外延一致性差、缺陷高、良率低、成本高的行业痛点。
在核心工艺参数上，天域半导体达到国际顶尖水准。其8英寸SiC外延产品厚度不均匀性≤1.5%，掺杂不均匀性≤3%，对标高端6英寸SiC外延标杆水平，部分指标超越海外头部厂商。在缺陷管控层面，该公司创新采用复合缓冲层结构，搭配原位预处理刻蚀工艺消除衬底界面缺陷，阻断原生位错向外延层增殖，BPD 缺陷转化率超 99.9%，从源头保障产品品质稳定性。
凭借优异的产品性能与稳定的量产交付能力，天域半导体稳居全球8英寸SiC外延出货量第一梯队。目前，该公司已获多家行业龙头长单锁定，实现月度规模化稳定交付，车规级、光伏储能领域标杆客户已全面批量采购，8英寸产品应用版图持续扩张。
产能层面，天域半导体生态园新基地 8 英寸专用产线爬坡顺利，8英寸外延出货占比持续提升，已成为企业核心增长引擎。企业搭建 “松山湖总部 + 生态园基地” 双基地协同交付体系，构建行业领先的规模化产能矩阵：
松山湖总部：通用产能42万片/年；
生态园区基地：聚焦8英寸车规级外延，产能为38万片/年。
现阶段，天域半导体已经形成80万片/年的总产能，实现了行业领先的32万片/年8英寸产能。面对下游市场的持续增长，该公司正加速扩产，远期生态园基地全面投产后，总规划产能将提升至150万片/年，未来他们将以百万级规模优势稳固行业领先地位。
下一代SiC：更低成本、更高性能、更高耐压
虽然，“8英寸SiC时刻”已然临近，但SiC器件对硅基器件的替代还刚刚开始，许多技术路线的探索还在继续。
事实上，SiC的高频、高耐压、高导热等本征性截至目前仍未被充分同时利用，目前SiC器件的主流应用仍然局限于母线电压在800V—1500V的汽车和工业等市场。
向中高压市场迈进是整个SiC行业公认的未来方向，固态变压器、轨道交通、直流微网和电站换流阀等市场应用对3300V以上的高压SiC器件翘首以盼，在这些高压领域，SiC展现出的市场需求远比中低压应用更为迫切和巨大。
然而，巨大的市场需求背后，是呈指数级上升的技术挑战。其中，超高压碳化硅器件的外延厚度需大幅增加至数十甚至上百微米，且对厚度均匀性、掺杂精确控制及晶体缺陷密度提出了几乎苛刻的要求。当前，这一技术高地仍是全球头部企业竞相角逐的焦点，其突破速度正深刻影响着未来新型电力系统的构建格局。
面对如此严苛的技术壁垒，天域半导体已构建起覆盖极为宽广的外延产品体系：掺杂浓度可在1E14~1E20/cm³范围内精准调控，外延厚度适配1-300μm，并具备超高掺、超低掺、厚外延、多层外延、C面外延、键合外延、沟槽外延等全系列产品的定制能力，为多维应用场景提供了坚实的技术底座。
例如在核心工艺纵深上，天域半导体的超级结技术同样跻身国际前列。依托沟槽回填工艺，其沟槽外延已实现3.3kV电压等级下深宽比7:1的稳定填充，最高更可突破至14:1，显著提升了器件耐压与导通特性的平衡极限，为高压场景下的系统优化赋予更多可能。
在厚膜外延技术生长方面，目前天域半导体的10kV、20kV及更高电压等级的8英寸超高压外延已实现自主量产，全面覆盖储能、智能电网、AI算力电源等新兴高增长领域。
行家说总结
纵观行业发展，8 英寸SiC规模化落地是碳化硅产业从小众走向主流的关键拐点。天域半导体凭借前瞻的产能布局、持续的技术迭代与底层工艺创新，不仅实现了8英寸SiC 外延技术、良率、产能、出货量的全方位领先，也进一步推动了 SiC 器件的规模化普及与商业化落地。
与此同时，该公司布局的SiC键合、超级结、沟槽外延、超高压厚膜外延等前沿技术，成功打造第二增长曲线，既有效对冲新能源汽车行业周期波动，保障8英寸产线高稼动率与规模降本优势，也构建起难以复制的技术与产能护城河，为该公司长期领跑SiC大尺寸、超高压赛道奠定坚实基础。
