普冉股份：从“小而美”到“大而强”

2026年上半年，普冉股份营收39.59亿元，同比增长336.67%；归母净利润8.27亿元，同比增长1929.65%；毛利率攀升至51.15%的历史峰值。作为一个长期关注半导体工艺和设计的工程师，我更想拆开这份财报的外壳，看看里面藏了哪些数字之外的东西。

双工艺平台：SONOS+ETOX

NOR Flash领域，业界主流玩家如华邦、旺宏、兆易创新普遍采用浮栅ETOX工艺结构。普冉走了一条差异化路线——率先将SONOS工艺结构应用于NOR Flash的研发设计。

为什么SONOS值得关注？从器件层面看，SONOS采用双管（2T）单元共源结构，有效控制了存储单元漏电，实现了极低的静态功耗。这对于穿戴设备和IoT应用而言，是致命的竞争力。更关键的是，SONOS工艺复杂度相对较低，减少了掩膜版数量，直接拉低了单位成本。

报告期内，普冉已将SONOS工艺的40nm产品作为出货主力，并推出了更先进的40E系列。与此同时，ETOX平台也已迈入4Xnm制程，256Mbit至1Gbit大容量产品已导入PC、服务器等大客户。

双工艺平台齐头并进，意味着普冉在产品线布局上拥有了更大的设计弹性和工艺选择权。

并购SHM

并购SHM，不能只看财务并表数据（上半年贡献营收约23.46亿元）。从技术整合角度，这是一次关键的“工程化能力”补全。

普冉原本强在芯片设计端，而SHM拥有的是固件算法开发、存储芯片测试方案、集成封装设计、存储产品定制等系统级工程能力。双方已形成NAND新产品联合开发机制，普冉通过这一机制逐步积累产品工程化经验，实现对SHM核心技术的消化吸收。

更值得关注的是供应链协同——普冉正在推动SHM导入境内晶圆及封测资源，目前已接洽多家知名半导体厂商，以缓解单一供应商依赖风险。这对于长期供应链安全而言，是实质性加固。

从技术维度看，这次并购让普冉实现了从“芯片设计”到“芯片设计+系统级工程实现”的能力闭环。这才是“存储X”战略的真实内涵。

研发投入

上半年研发费用2.26亿元，同比增长53.01%。研发团队345人，占公司总人数55.91%。本科及以上学历占比超过96%。研发投入增长主要来自人员薪酬和IP、测试设备的折旧摊销，说明公司在重资产研发平台和高端人才上都在加注。另外，各期股权激励计划覆盖全体在职员工的80%以上。

小结

普冉这份半年报，真正让我感兴趣的不是19倍的利润增长数字，而是它展现出的一家半导体公司从“芯片设计”向“系统级工程”跨越的技术演进路径。双工艺平台的持续迭代、并购后的工程化能力整合、研发人才的高密度投入——这才是支撑财报数字的地基。在全球存储芯片巨头林立的市场中，中国企业能否不靠价格战而靠技术纵深突围？普冉给出了一个值得跟踪的样本。