沪硅产业：SOI衬底为何是硅光子大规模量产的“理想基座”？

2026年9月21日，2026国际RF-SOI论坛今日在上海浦东香格里拉大酒店隆重举行。上海硅产业集团股份有限公司（NSIG，以下简称“沪硅产业”）常务副总裁李炜受邀出席，并发表题为《硅启未来之光》（Silicon Powers a Brighter Future）的主题演讲，系统阐述了硅光子在AI数据中心浪潮下的市场机遇、SOI衬底的核心价值，以及沪硅产业在SOI领域的战略布局与制造能力。

图 | 上海硅产业集团股份有限公司常务副总裁李炜

AI驱动数据中心资本开支飙升，硅光子迎来黄金时代

李炜在演讲中援引Dell'Oro最新预测指出，全球数据中心资本支出正经历历史性上修，预计到2030年将突破3万亿美元。AI投资在拉动GPU需求的同时，也同步催生了对服务器、存储、网络、供电/散热及高速光互连等基础设施的庞大需求。

图 | 全球数据中心资本支出预测

然而，传统可插拔光模块正面临功耗攀升、元器件成本高企、形态扩展受限等多重瓶颈。李炜表示，随着光模块从Pluggable（可插拔）向NPO（近封装光学）、CPO（共封装光学）及OIO（光学I/O）演进，硅光子技术凭借其高集成度、低损耗和CMOS工艺兼容性，成为破解上述难题的关键路径。

图 | 光模块演进之路

硅光子加速标准化制造，SOI衬底价值凸显

演讲中，李炜详细梳理了硅光子的三大核心优势：一是集成化，可将波导、调制器、(解)复用器、光电探测器等集成于单一PIC，大幅减少分立器件与复杂光对准；二是标准化制造，依托200mm/300mm晶圆制造及晶圆级测试，硅光子正逐步建立可复现的设计与代工量产模式；三是架构持续演进，平台已支持400G、800G、1.6T乃至3.2T产品，并向CPO与光学I/O延伸。

市场数据印证了这一趋势。高盛2026年9月发布的报告显示，全球光模块出货量持续上修，800G+硅光渗透率已超60%；预计到2028年，硅光模块出货量将接近1.28亿只。

图 | 全球光模块出货量及潜在市场总额（TAM）

李炜强调，SOI是硅光子的理想衬底。顶层硅高折射率（n=3.47）作为波导芯层，埋氧层（BOX）低折射率（n=1.44）作为包层，通过全内反射实现光子传输。SOI衬底具备晶圆级集成、CMOS代工兼容、低波导损耗及高折射率对比度等优势，是支撑硅光子大规模量产的基础。

从2001到2026，沪硅产业打造全谱系SOI材料平台

李炜在演讲中回顾沪硅产业的发展历程：2001年，新傲科技成立，是中国大陆首家SOI晶圆制造商；2014-2015年，实现200mm RF-SOI与功率SOI晶圆量产，开始服务全球市场；2022年，新傲芯翼（SimWings）成立，制成中国首片300mm SOI晶圆；2026年，300mm SOI晶圆实现规模量产。

目前，沪硅产业已构建覆盖RF-SOI、HV-SOI、FD-SOI、Photonic-SOI、MEMS的300mm全谱系产品组合，可提供从超低功耗逻辑到高性能光学与功率电子的全方位衬底解决方案。

图 | 沪硅产业300mm SOI 产品矩阵

携手全球生态，共赴硅光未来

李炜指出，硅光子生态已涵盖PIC设计、SOI衬底、外延片、代工与Fab、封装、收发器集成、设备及运营商等完整链条。沪硅产业作为SOI衬底核心供应商，将持续深化与全球产业链伙伴的合作，以“以硅为始，不忘初心”为使命，为AI时代的光互连基础设施提供坚实的材料支撑。