HC010P04M(57P04)为惠海原厂 P 沟道 MOS 管,-40V/-57A,TO-252 封装,采用沟槽工艺。器件支持低至 -4.5V 栅极驱动,具备低栅极电荷与 RDS(on) 优化特性,适用于 PWM、负载开关、电源管理等电路。
惠海半导体原厂HC010P04M核心参数:
沟道:P 沟道
VDS:-40V
ID:-57A
封装:TO-252
栅极驱动:可低至 -4.5V
工艺:沟槽
测试:100% UIS、100% DVDS
环保:无铅产品
惠海半导体原厂HC010P04M特点:
低栅极电荷,有利于开关损耗控制
RDS(on) 优化,降低导通损耗
支持较低栅极电压驱动
出厂进行 UIS、DVDS 测试
无铅产品
惠海半导体原厂HC010P04M典型应用:
PWM 应用、负载开关、电源管理。可用于加湿器/雾化器、美容仪、小家电、蓝牙音箱、电弧打火机、车灯、舞台灯、马达驱动、逆变器、无线充、POE、无刷电机、电动工具、PD 快充、太阳能电源、防盗器、充电器、电动车转换器等场景的电路评估。
惠海半导体原厂HC010P04M卡车/三轮车模块选型:
可用于模块内低压辅助电源、负载开关、PWM 驱动等位置评估。实际选型需核对母线电压、持续/峰值电流、散热条件、驱动电压及浪涌余量;高压母线场景需确认 VDS 裕量。
惠海半导体原厂中低压MOS管VDS±20V-±250V系列参考:
P管SOT23-3L:340110P03 5P04 4P06 5P10
N 管 SOT23-3L:3400 8N03 6N04 6N06 3N10 5N10 6N10 2N15 5N12
15N10 30N10 50N10 90N10 30N12 15N15 50N15 10N20
N 管 PDFN5*6 TO-252:30N03 60N03 90N03 120N03 100N04 90N04 30N06 50N06 90N06 120N06
P管 TO-252:100P02 60P06 30P10 50P10 20P15 20P20
N管 SOT89:15N1012N06 40N06 20N03 40N0615N15 10N20
N 管 PDFN3X3 : 30N03 60N03 90N03 25N06 50N06 70N06 15N10 25N10 45N10 70N10 10N15
惠海半导体原厂-40V PMOS管选型参考:
HC045P04M、HCB003P04L、HCE003P04L、HCC2P10L、HCP2P10L、HCM150P10L、HCD150P10L、HCK150P10L、HCK300P10L、HCD300P10L、HC090P10L、HCD090P10L、HCK065P10L、HCD065P10L、HC040P10L、HCA040P10L、HCA090P10L、HCK172P20L.......
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