芯耀
与非AI
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存储器要做出来并不难，美、日、韩、中国台湾地区都可以，中国大陆也不可能例外。阻碍主要来自于如何覆盖成本，工艺制程和良率的差距导致成本竞争力不如对手，另外设备折旧更是占据生产成本的 40%-50%。
可以想见，如果中国大陆存储产业崛起速度过快，三星、SK 海力士、美光，东芝等国际大厂必然会以价格战来压制。
本文将从产业发展规律、技术趋势、产业政策等多方面分析我国中国台湾地区发展存储器的经过和最终退出的原因。
事实上，中国台湾地区在取得全球晶圆代工第一、封装第一及 IC 设计第二的成绩之后定下更加宏大的半导体产业目标：1、总产值要超过韩国，成为继美国、日本之后的全球第三位；2、在未来三至五年中，存储器产业要超过韩国，成为全球第一。
为什么以存储器为突破口？
这是一个值得思考的好问题。回顾 80 年代日本追赶美国，以及 90 年代韩国追赶日本，都是以存储器作为突破口。原因是存储器市场巨大、设计技术相对简单且易于扩大市场份额。
韩国就是在 6 英寸晶圆厂过渡到 8 英寸晶圆厂的世代交替时，以 9 座 8 英寸晶圆厂的产能优势，一举取代日本厂商跃居全球 DRAM 产业第一的的宝座。
中国台湾地区试图以同样的方法，希望在 8 英寸过渡到 12 英寸晶圆厂的世代交替时，以拥有全球最多的 12 英寸晶圆厂来取胜。结果中国台湾并未成功，三星及 SK 海力士仍雄居全球存储器市场第一和第二的位置。
重投资策略未能奏效
半导体业内有个“潜规则”，只要舍得投资就有可能成功。例如中国台湾地区半导体业在 90 年初代工模式刚兴起时，年投资金额与年销售额之比达 60%以上。
根据此经验，中国台湾地区从 2004 年开始加速存储器方面的投资。从 2004 至 2008 年，中国台湾地区在存储器方面的总投资达 300 亿美元以上，拥有近 20 条 12 英寸晶圆生产线，位列全球第一，大大超出同期三星的投资。
但是最终并未因 12 英寸晶圆生产线多而取得胜利，随后中国台湾地区放弃存储器追赶策略，转向固守阵地。
中国台湾 DRAM 与三星在投资方面的比较
原因初探
中国台湾地区在存储器方面重投资而未能奏效，原因是多方面的，也可以认为中国台湾地区在半导体策略上的一次重大失误。据笔者观察有以下三个主要原因：
首先，中国台湾地区在发展存储器产业中主要采用代工模式，而代工模式在 DRAM 中以失败告终。
众所周知，在 DRAM 产业中有两个趋势已成为共识，一个是工艺制程转变快，紧跟摩尔定律。另一个是月产能达 15 万片的超级大厂盛行，投资高达 50-80 亿美元。主要原因是出于运营成本的考虑，运行 3 个 5 万片晶圆厂的成本肯定高过一个 15 万片晶圆厂。
按此理分析，代工厂的产能小，无法与 IDM 厂竞争。当产能足够大时，一来代工厂担心未来订单不足而犹豫扩充产能，同时那些 IDM 厂又担心代工厂会与自己争夺客户。
另外，从根本上那些 IDM 厂也不可能把最先进制程的产品交给代工厂。因此，代工模式在 DRAM 业中受到质疑，中芯国际于 2007 年退出存储器代工可能也是基于此理。
其次，中国台湾地区存储器产业中缺乏自有技术，过多的依赖于技术转移。例如，此前力晶与尔必达，茂德与 SK 海力士及华亚科与奇梦达（现在的美光）。中国台湾地区厂商基本都没自主技术，等于缺乏脊梁。
这也是中国台湾地区存储器追赶韩国失败的主要原因。
最后，是全球存储器的市场未能达到预期。当时，几乎 2/3 的新建或扩充产能集中在存储器产业中，但需求端并没有快速成长，造成供过于求的局面，最终导致 DRAM 和 NAND 闪存价格的持续下跌完全超出市场预期。
中国台湾地区存储器产业经过近 5 年努力，花费 300 亿美元以上的投资，结果未能超过韩国。一方面表明韩国在存储器方面的实力之强大；另一方面也证明光靠花钱并不能解决问题。
随着华亚科在 2016 年正式被美光收购，也标志着中国台湾地区自主存储器产业没落，虽然还有相关产业存在，但已不是中国台湾地区公司和资本主导。
任何策略都不可能简单地复制，任何成功都是由多个因素共同促成的。中国台湾地区在半导体业总体上是成功的，但是此次存储器之梦未能实现。
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