三星GAA技术叫板台积电，中国台湾专家却称其只是“唬人”而已

与非网 8 月 14 日讯，此前在日本东京的晶圆代工论坛上，三星电子展示了其先进制程技术，并提供用于生产 3nm 以下芯片、名为“环绕闸极”（GAA）技术的制程套件。三星称在 GAA 技术上，其领先全球晶圆代工龙头台积电一年，更超前英特尔（Intel）两到三年，但是近期这个言论却被中国台湾专家“喷了”。

中国台湾知产力专家社群创办人曲建仲介绍，场效电晶体（FET）是最基本的电子元件，电子流入再流出，由一个闸极开关控制电子导通代表 1 或不导通代表 0，科学家将它制作在硅晶圆上，是数字信号的最小单位，一个 FET 代表一个 0 或一个 1，就是电脑里的一个位数。

“制程节点”代表闸极的“平均长度”，会随制程技术的进步而变小，当缩小到 14 纳米以下遇到问题，因此发明了“鳍式场效电晶体（FinFET）”，但是 5 纳米以下又遇到问题，才出现“环绕闸极场效电晶体”。

曲建仲指出，GAA 的原理很简单，就是增加闸极与电子通道的接触面积，可以增加控制效果减少漏电流。除了三星，各家晶圆厂早就在发展 GAA，只是结构稍有不同，因为测试效果没有比 FinFET 好，良率又低，因此没有拿这个专有名词来“唬人”而已。

GAA 资料图，点击查看大图。图片来源：三星官网

曲建仲强调，三星展出的“水平式”GAA 和 FinFET 性能差异不大，这次三星讲 GAA 只是用专有名词来唬外行人，报导说三星想用 GAA 在 3nm 弯道超车台积电，“只能说不是想像力太丰富，就是三星的营销比较厉害”。

至于台积电在 3nm 的进展上，台积电首席执行官兼联合主席 CC Wei 在与投资者和金融分析师的电话会议上表示，在 N3 上，技术开发进展顺利，我们已经与早期客户就技术定义进行了接触，们希望我们的 3nm 技术能够进一步扩展我们在未来的领导地位。

台积电的 N3 将同时使用深紫外（DUV）和极紫外（EUV）光刻设备。由于台积电的 N5 使用多达 14 个 EUV 层，因此 N3 的使用层数可能会更高。这家全球最大的半导体合约制造商似乎对其 EUV 进展感到非常满意，并认为该技术对其未来至关重要。

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