与非网 9 月 12 日讯,本月初,紫光集团旗下长江存储正式宣布,其 64 层堆栈 3D NAND 闪存已开始量产。虽然国产 3D NAND 已经取得了突破了,但是在 DRAM 内存芯片领域,国内依然是一片空白。原本被寄予厚望的福建晋华,由于遭遇美国“禁令”,已长期处于停摆状态。
在紫光之前,我们可能看到的第一个国产内存应该是合肥长鑫公司的,他们比紫光做内存更早,该公司 2016 年成立于安徽合肥,一期工程投资就高达 72 亿美元(约合 494 亿人民币),将建设一座月产能 12.5 万晶圆的内存厂,目前工厂建设已经进入了尾声,正在进行设备安装、调试阶段。受多方影响,硕果仅存的合肥长鑫存储不得不小心翼翼,放慢节奏,强化合规,稳扎稳打。
最新消息显示,合肥长鑫的进展还跟顺利,已经提前进行机台安装,有望在 Q4 季度顺利量产国内第一批内存。
合肥长鑫的技术合作方是易兆创新,二者从去年开始共同开发 19nm 工艺的 DRAM 颗粒,并已经做出了 8Gb DDR4 的样品,并将于今年第三季度退出 8Gb LPDDR4 样品,年底正式量产,月产能将达到 2 万片晶圆,后续不断提升到 12.5 万片晶圆 / 月的目标产能。事实上,长鑫的 DRAM 内存技术依旧与奇梦达公司有着深厚的渊源。
此前在 GSA+Memory 存储峰会上,长鑫存储的董事长兼 CEO 朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲,提到了长鑫的 DRAM 内存技术来源,主要就是已破产的奇梦达公司,获得了一千多万份有关 DRAM 的技术文件及 2.8TB 数据,在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片,耗资超过 25 亿美元。
如果年底顺利量产 19nm 工艺、8Gb 核心的内存,虽然与美光、三星等公司的第三代 10nm 工艺还有一两代的代差,但是这个技术水平还是可以的,因为市面上很多内存条也就是这个规格,用于制备单条 8GB、16GB 的内存条是 OK 的,可以说国产内存的起点是非常高的,但后续的良率、产能提升才是关键,在这个市场上赚到钱活下去并不容易。
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