福利来啦，集合！！！

与非网联合英飞凌给工程师朋友们送福利啦—英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200V G2系列产品：IMCQ120R017M2H、 IMCQ120R034M2H，免费试用上线（数据手册见附件）。

一句话介绍它：实现AI数据中心供电极致效率，舍我其谁！

诚邀工程师、研发团队及行业小伙伴们亲身体验！请大家认真填写申请表单字段，信息完整将大大增加审核通过率哦，最终料号的数量发放我们也会根据大家参与参与的热情度，酌情增加哈~

产品简介：

随着英伟达GPU迭代加速，其功耗持续攀升，加之AI计算节点高密度部署的趋势，AI数据中心的电力需求已达到数百兆瓦级别。目前，多家超大规模数据中心运营商已公布了相关建设规划。

为满足兆瓦级供电需求，800V乃至更高电压的直流配电系统正成为AI供电的主流选择，而固态变压器（SST）正式这套架构中的核心，它替代了传统“工频变压器+低压配电柜+UPS+HVDC换流器”的变压方案，直接将10-35kV电网电压转换为800VDC直流低压，大幅缩短了供电链路，将整机效率提升至98%以上，占地面积减少50%以上，此外，SST毫秒级的动态响应能力，完美解决了大型 GPU 集群负载剧烈波动所引起的电力供应与电网稳定性问题，而碳化硅器件凭借其高耐压特性，突破了传统硅器件在高压高频下的性能瓶颈，成为固态变压器（SST）设计的关键元件。

AIDC区别于传统数据中心的核心在于其极高的功率密度，英飞凌12 kW 高功率密度、高频服务器电源（PSU）参考设计显示，采用碳化硅设计可实现PSU 113 W/in³​ 的超高功率密度，是行业标准（如OCP ORv3规范的 48 W/in³）的两倍以上，在230V交流输入、50Hz电网频率的典型工作条件下，该12 kW PSU可实现高达 97.8%的峰值效率，并且，在40%-100%负载范围内，功率因数 (PF) > 0.995，远超OCP标准，能有效提升电网电能质量。

在AIDC的服务器电源（PSU）、模块化UPS等核心部件中，Q-DPAK顶部散热封装正成为新一代碳化硅单管的主流选择，英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200V G2系列产品采用先进的Q-DPAK顶部冷却封装，针对高功率密度与高温运行场景优化设计，我们现推出IMCQ120R017M2H 与 IMCQ120R034M2H 两款器件免费样品试用活动，诚邀工程师、研发团队及行业小伙伴们亲身体验！

为什么选择QDPAK封装？

Q-DPAK顶部散热封装技术旨在帮助设计师简化制造流程并提高功率密度，其核心理念在于将器件的电气连接（在底部）与热界面（在顶部）分离开来，从而巧妙结合了两种传统封装方式的优点，它既保留了SMT技术所带来的全自动制造效率，又能实现媲美媲美甚至超越标准TO-247封装的热性能，通过器件顶部的专用散热面直接连接高效散热器，热量得以快速耗散，从而显著降低器件结温，提升系统可靠性。

Q-DPAK顶部散热设计支持更优化的PCB布局，这不仅减少了寄生参数和杂散电感的影响，从而降低了开关损耗和导通损耗，还允许在标准PCB的两面布置元器件，使得整体系统设计更加紧凑和简易。结合其卓越的散热能力，设计师能够在更小的空间内处理更大的功率，最终实现更高的功率密度。

产品速览：

CoolSiC™ 1200 V G2 in Q-DPAK：在提升效率的同时，实现更高性能、更紧凑的设计

小凌给大家整理出了 CoolSiC™ 1200 V G2 in Q-DPAK 产品特点、应用价值以及性能参数，方便大家选择合适的产品