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瑞斯特 (RST) RST1045D平面肖特基

  • 型号:RST1045D
  • 制造商:瑞斯特 (RST)
联系方式:18106511069

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介绍

瑞斯特 (RST) RST1045D 为 TO-252 贴片封装 10A/45V 共阴极双路平面肖特基整流器件,采用硅外延平面芯片工艺,芯片搭载应力保护环结构优化芯片边缘电场分布,缓解低压场景下电场集中问题,提升器件耐压稳定性。器件依靠多数载流子完成导电,无少数载流子存储电荷,反向恢复速度快,适配小型贴片式低压高频开关电路。依据规格书电气参数,器件总平均整流电流 10A,单支路额定电流 5A,25℃、IC=0.5mA 条件下最小击穿电压 45V;25℃、IF=5A 时典型正向压降 0.53V,最大限值 0.58V;VR=45V、TJ=25℃最大反向漏电流 0.05mA,125℃高温环境漏电流升至 6mA,具备肖特基二极管漏电流随温度升高同步增大的固有特性。8.3ms 单半正弦波负载下非重复峰值浪涌电流可达 150A,可承受设备启动瞬时电流冲击;器件工作与存储温度区间为 - 55℃至 + 175℃,引脚可承受 260℃/10 秒焊接温度,TO-252 贴片采用 2500pcs 卷带包装,适配 SMT 全自动贴片产线,同系列配套 TO-251 直插封装 RST1045C,全系无铅封装,满足 RoHS 环保规范。

从热特性与高频性能层面分析,RST1045D 允许正向电流随外壳温度升高线性降额,壳温上升会小幅降低同等电流下正向导通压降,但反向漏电流会显著增大,小型贴片封装散热面积有限,设计时需借助 PCB 大面积铺铜辅助散热,保障长期稳定工作。器件存储电荷极低,高频切换过程反向电流尖峰更小,能够降低整机 EMI 干扰,简化外围简易缓冲吸收电路;对比 60V 及以上高压肖特基,45V 低压规格正向压降更低,导通损耗更小,针对 12V、24V 低压母线预留充足电压裕量,可抵御负载波动产生的瞬时电压尖峰,兼顾低功耗与小型设备长期运行可靠性。

电路应用层面,RST1045D 主要承担低压高频次级同步整流、小型电感负载续流、低压电源母线防反接保护三类核心功能,TO-252 贴片封装体积紧凑,适配轻薄化、高集成小功率设备,可替代多颗微型肖特基并联方案,精简 PCB 布线结构,减少整机物料数量与贴片装配工序。

该器件适配 100kHz~1MHz 主流低压小功率高频拓扑,应用场景覆盖小型低压开关电源、便携设备 DC-DC 降压变换器、数码产品锂电池充放电模块、微型风光储能辅助电源;小型驱动板、微型电机控制回路中用作电感续流器件,快速泄放断电产生的反向电动势,保护后端低压功率 MOS 管;同时可用于便携式车载电源、迷你桌面 UPS、小功率 LED 驱动电源,能够有效降低低压回路导通损耗,缩减整机散热结构体积,适配 45V 及以下低压小型化功率设备。

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