MRFG35010AR1 3.5 GHz, 10 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRFG35010AR1 3.5 GHz, 10 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT

Designed for WiMAX, WLL/MMDS or UMTS driver and final applications. Characterized from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB or Class A linear base station

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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