MRF9080LR3 GSM 900 MHz Frequency Band, 75 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF9080LR3 GSM 900 MHz Frequency Band, 75 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

Designed for GSM 900 MHz frequency band, the high gain and broadband performance of this device make it ideal for large−signal, common−source amplifier applications in 26 volt base

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

MRF9080LR3 GSM 900 MHz Frequency Band, 75 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

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