芯耀
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宽带隙半导体指的是能带宽度大于 2电子伏特(eV)的半导体材料。这种材料因为具备比常见的硅(Si)和锗(Ge)等材料更大的电子运动性能，在高功率器件、发光二极管和太阳能电池等领域都有广泛应用。
1.什么是宽带隙半导体
宽带隙半导体相较于窄带隙半导体，其狭义的定义为在温度为 0K 时能带宽度大于 2eV 的半导体。
因此，宽带隙半导体主要包括：氮化镓 (GaN)、碳化硅 (SiC)、氧化锌 (ZnO) 等材料。
2.宽带隙半导体材料有哪些
现代电子学中，广泛采用的宽带隙半导体材料包括：
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