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半导体制造

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  • 粤芯/士兰/积塔等齐发力,多个12英寸半导体项目新进展披露!
    全球半导体领域近期密集出现四大关键事件,包括德州仪器300毫米晶圆厂投产、士兰集华12英寸高端模拟芯片产线备案、粤芯半导体四期12英寸产线落地、积塔半导体增资扩产。这些事件表明,各大企业纷纷加大晶圆制造核心产能,特别是以大尺寸晶圆和特色工艺为核心,以应对日益增长的市场需求和供应链挑战。德州仪器通过自建晶圆厂增强供应链自主可控能力,士兰集华聚焦高端模拟芯片制造,粤芯半导体深化数模混合特色工艺,积塔半导体则在第三代半导体领域持续加码。这不仅展示了全球半导体行业的竞争态势,也为我国半导体产业发展提供了新的机遇与挑战。
    粤芯/士兰/积塔等齐发力,多个12英寸半导体项目新进展披露!
  • 工艺中的 Loading Effect(负载效应)是什么?
    Loading Effect 是半导体制造中因图形密度变化导致的工艺非均一性现象,常见于CVD、干法刻蚀和离子注入等步骤。例如,刻蚀工艺中图形密集区刻蚀速率慢,图形稀疏区快,导致刻蚀深度不一致。CVD沉积中图形稀疏区膜厚较厚,密集区较薄,影响器件一致性。为缓解此效应,可通过引入虚拟图形、优化气体流量和工艺参数等方式提高工艺均一性。
  • 欧洲投资银行与意法半导体签署10亿欧元协议,助力欧洲提升竞争力与战略自主权
    欧洲投资银行(EIB)与意法半导体(NYSE:STM)已签署5亿欧元融资协议,以提升欧洲竞争力与战略自主权。此举为EIB近期批准的10亿欧元信贷额度首期款项,受益方意法半导体是欧洲排名前列的半导体制造商,在意大利、法国和马耳他设有重要生产基地,服务于汽车、工业、个人电子及通信基础设施市场。 自1994年以来,EIB已支持意法半导体九个项目,累计融资约42亿欧元。本次合作将助力意法半导体在意大利和法
  • 从基恩士产品一窥半导体制造之高端精密
    半导体制造的高端精密性 半导体制造是涉及多学科、超长产业链的工业领域,属于高端精密制造业,这里的高端和精密可以概括为在微观尺度上,以极高的精度、纯净度和一致性,进行大规模、复杂结构的物理和化学制造。具体体现除了极致的微观尺度,这是最直观体现精密的地方,单位从微米到纳米,现已进入埃时代,以及超高的复杂性与集成度,一颗先进的处理器芯片如CPU/GPU可以集成数百亿个晶体管,同时向三维立体结构延伸,而制
  • wafer、die、chip之间的区别和联系?
    晶圆(Wafer)是半导体制造的基础材料,由高纯度硅制成;Die(芯粒)是从晶圆切割出来的单个功能单元,未封装;Chip(芯片)是封装后的Die,可直接使用。晶圆经过制造、测试、切割、封装和最终测试成为芯片。
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    2025/11/03
    wafer、die、chip之间的区别和联系?
  • ALD工艺在半导体产品中的应用梳理
    复旦微电子博士生常晟源带领实习生整理半导体行业数据,特别是ALD工艺的应用梳理,并分享了近十年覆盖八成半导体制造上游供应链的行业数据和大量原创行业景气度分析报告。
    ALD工艺在半导体产品中的应用梳理
  • 半导体制造常用电子气体分类汇总
    在半导体制造过程中,不同工艺环节会使用到种类繁多的电子气体。依据其用途可将这些气体大致划分为以下几类:
    半导体制造常用电子气体分类汇总
  • PIE工程师常用的核心专业术语
    本文介绍了半导体工艺整合与流程(PIE)的核心术语及其重要性,涵盖了工艺整合与流程、关键模块接口、器件电性与可靠性、良率与统计方法四大类。具体包括:1. 工艺整合与流程 -Process of Record (POR):当前晶圆厂的标准工艺流程,包含精确参数和设备型号。 - 工艺窗口/工艺余量:允许工艺参数变动的范围,提高量产稳定性。 - 工艺流程:从裸晶圆到成品的制造步骤,需掌握衔接点。 -Technology CAD (TCAD):通过软件模拟工艺步骤和器件电学特性。
    PIE工程师常用的核心专业术语
  • “争抢英特尔”背后:全球核心资产正经历一场重估
    导语:美国、法国、日本和新兴经济体国家资本纷纷入场,核心资产的价值正在被国家安全、产业链稳定和能源独立重新定义。 软银与美国政府对英特尔的 “争抢”,撕开了全球资产定价体系重构的一道口子。 8月19日,日本软银集团与美国芯片制造商英特尔达成20亿美元股权投资协议。根据协议,软银将以每股23美元的价格认购英特尔新发行的普通股。 软银首席执行官孙正义称,英特尔将在美国先进半导体制造与供应链的扩张中扮演
    “争抢英特尔”背后:全球核心资产正经历一场重估
  • 7纳米工艺为何如此重要?
    7纳米工艺标志着半导体制造进入新的技术转折点,主要体现在四个方面:光刻技术革新,采用EUV取代传统DUV;FinFET晶体管达到极限,设计与工艺紧密结合;高昂成本促使行业格局固化,仅剩几家大厂具备量产能力;新材料和工艺整合复杂,推动材料创新和技术进步。
    7纳米工艺为何如此重要?
  • 什么是硬掩膜hard mask
    Hard Mask是半导体制造中的重要掩膜材料,具有高耐刻蚀性和热稳定性,在高深宽比结构、多重图案化和复杂工艺中表现出色。它常采用多层结构(如ARC+a-C+SiN)来综合满足图案转移、光学控制和刻蚀保护的需求。
  • 半导体退火工艺:激光退火和炉管退火
    激光退火和炉管退火是半导体制造中两种常见的退火方法,它们在加热方式、工艺特点和应用场景上存在显著差异。 激光退火利用高能激光束对材料表面进行局部瞬时加热,时间尺度非常短,通常在纳秒到微秒之间。 由于加热迅速且集中,激光退火能够使材料表面达到极高温度,同时热影响区非常小,避免了晶圆整体的热应力和翘曲。 激光退火的温度和加热区域可以精确控制,非常适合用于超浅掺杂结的形成、离子注入后激活以及薄膜的快速结
    半导体退火工艺:激光退火和炉管退火
  • 半导体Dry ETCH工艺核心表征参数
    在半导体制造中,干法刻蚀是图形转移的核心步骤,其精度直接影响器件性能和良率。要精确控制和优化这一复杂过程,必须依赖一系列关键表征参数:
    半导体Dry ETCH工艺核心表征参数
  • 行业知识 | 半导体制造刻蚀、注入、掺杂用特气汇总表
    这次发布的主要是半导体制造里刻蚀清洗、离子注入、掺杂等制造工序里的特气应用,顺便也把光伏和OLED用特气也加上了由于表格非常大,这次的数据也做了一些压缩合并,以确保表格能够在手机上正常显示如果大家发现任何问题,欢迎通过留言或者私信的方式给我反馈,谢谢了
    行业知识 | 半导体制造刻蚀、注入、掺杂用特气汇总表
  • 半导体工艺:Ashing
    Ashing是一种在半导体制造过程中常见的清洗工艺,它的核心目的是去除晶圆表面上残留的光刻胶。这个过程依赖于等离子体的反应活性,通常使用氧气等离子体将光刻胶这种有机材料“燃烧”成气态的CO和CO₂,从而彻底清除干净。这种方式被称作“干法清洗”,区别于湿法清洗中液体溶剂的溶解过程。
    半导体工艺:Ashing
  • 行业知识 | 半导体制造外延、CVD、ALD用特气汇总表
    正文: 我公众号一直在发布全球半导体供应链的厂商名单数据,但周一发了一个光刻机型号参数的数据后发现也颇受欢迎。所以受此启发,我打算今天继续换个花样,发布一些其它数据之前我整理电子特气供应商数据的时候,雄心勃勃地找了不少资料,整理了一个各种特气、前驱体的种类以及在半导体制造里的应用。数据量不小,但之前很少发布,所以今天就再公布一下,供大家参考由于表格非常大,所以今天挑选其中外延、CVD/ALD领域先
    行业知识 | 半导体制造外延、CVD、ALD用特气汇总表
  • 为什么离子注入后要热退火?
    芯片退火工艺是半导体制造中至关重要的一步,主要用于激活离子注入杂质、修复晶格缺陷、调整应力、改善接触界面以及优化电学性能。 以离子注入(ion implantation)为例,离子注入之后出现了较多的晶格位错。退火工艺则可以起到修复晶格缺陷的作用。
    为什么离子注入后要热退火?
  • 半导体制造微振动控制全链条解决方案
    瑞典VMI Viber X5振动分析仪采样速率高达130KHZ以上,幅值范围高达80g,频率细化高达0.015Hz,搭配SpectraPro高级振动分析软件,帮助振动分析师解决各种现场测试问题。我司曾给Intel、台积电、长江存储等公司的设备进行过振动检测分析,还解决过因地面振动未满足VC-C标准,成功找出了振动的根源,客户按照我们给出的方案处理之后,地面振动等级达到了VC-C的标准,客户对我们的服务给予了高度的赞赏。
  • 国产半导体设备公司大全
    当我们谈起半导体设备,脑海里往往第一时间闪现出ASML、东京电子、应用材料这些国际大厂。然而你知道吗?在我们自己的土地上,一批批国产设备正悄悄崛起,从光刻机到离子注入,从植球到量测,逐步攻下一个个技术高地,写下中国芯制造背后的硬核篇章。
    国产半导体设备公司大全
  • 半导体刻蚀工艺中,单晶硅和多晶硅用什么气体进行刻蚀?
    半导体制造是现代电子工业的基础,而刻蚀工艺则是半导体制造中最为关键的步骤之一。在众多半导体材料中,单晶硅和多晶硅是最为常见的两种硅基材料,它们在集成电路、光伏电池、传感器等领域有着广泛应用。本文将详细介绍这两种材料在刻蚀工艺中所使用的气体选择、反应机理以及实际应用中的优化策略,带领大家全面了解半导体刻蚀技术的核心要点。
    半导体刻蚀工艺中,单晶硅和多晶硅用什么气体进行刻蚀?

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