混合键合_混合键合资讯

混合键合取代微凸块：异构集成引爆3D封装互连技术革命

异构集成推动封装缩放进入新阶段，从传统的集成与聚合转向集成与去聚合的新范式。封装缩放聚焦于互连结构的微缩化，包括缩减和扩展两个维度。互连技术沿微凸块到混合键合路径演进，从传统焊料凸块到无焊料热压键合再到混合键合，键合节距不断缩小。玻璃基板技术满足高密度互连需求，因其优异的物理和电气性能。D2W键合工艺应对良率和对准精度挑战，通过创新技术和优化工艺提高键合质量。混合键合制造面临材料与工艺复杂性，需要解决铜表面清洁度、晶粒结构和平坦度等问题。3D系统架构从2.5D向全3D集成演进，通过硅通孔技术实现垂直互连，催生了Wafer-on-Wafer和Chip-on-Wafer等多层混合集成架构。

半导体产业研究

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3D封装异构集成

混合键合（Hybrid Bonding）

混合键合技术通过金属与介电材料的同时键合，实现了芯片间的高密度、低延迟连接，显著提升通信带宽与速度，降低寄生效应，适用于3D和2.5D封装，成为下一代关键互连技术，推动异构集成和高性能计算的发展。

韭菜笔记1907

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2025/12/22

混合键合芯片互连

下一个半导体周期，这些领域是关键

集成芯片间的竞争日益激烈，英特尔、台积电和三星代工都在提供全3D IC的基础组件，以实现性能提升和功耗降低。据Future Market Insights预测，3D IC和2.5D IC封装市场将以9.0%的年复合增长率增长，至2035年市场规模将达到1380亿美元。中国以12.2%的增速领先全球市场。芯片集成技术，尤其是芯粒（Chiplet）为核心的异构集成，成为推动行业发展的关键方向。通过先进封装技术，芯粒可以在单一封装内实现高效集成，优化成本与性能。EDA工具和方法、数字孪生、多物理场仿真等技术革新，以及先进设备的支持，对于实现3D集成至关重要。混合键合设备是实现高性能计算的关键设备，荷兰的BESI公司和韩国的韩美半导体等企业在该领域取得显著进展。国内厂商如拓荆科技和迈为股份也开始布局混合键合设备。存算一体技术解决了传统计算架构中的“冯·诺依曼瓶颈”，通过3D封装工艺实现高带宽内存与逻辑计算芯片的垂直堆叠，降低数据搬运的能耗与延迟。国际和国内半导体厂商都在积极布局存算一体技术，推出商业化产品。

半导体产业纵横

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2025/10/20

eda 存算一体

混合键合，大热

混合键合技术因其在高密度互联和小型封装尺寸方面的显著优势，正迅速成为先进封装领域的热门话题。尤其是在HBM（High Bandwidth Memory）应用中，混合键合技术有望在未来取代传统的热压键合（TCB）技术，成为主流解决方案。多家半导体巨头，如三星、SK海力士和美光，已经开始投资和采用混合键合技术，以应对不断加速的内存更新换代需求。与此同时，设备制造商如BESI和ASMPT也在积极推动混合键合设备的研发和生产，预示着这一技术将在未来的半导体行业中扮演重要角色。

半导体产业纵横

2149

2025/09/09

先进封装混合键合

从中国香港走出的芯片设备巨头

1975年某天的中国香港午后，维多利亚港阴云密布，站在岸边的27岁年轻人林师庞眉头紧锁。

与非网编辑

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2025/07/30

半导体设备混合键合

韩国HBM龙头宣布HBM5 全面拥抱混合键合这是为何？

7月22日，韩国半导体产业协会在京畿道城南市召开"商用半导体技术创新论坛"。三星电子DS事业部半导体研究院未来技术组执行副总裁金大宇在演讲中指出："当HBM堆叠层数突破16层时，传统热压键合（TC）技术将面临瓶颈"，并透露"公司计划自16层HBM产品起采用混合键合方案"。

芯科技圈

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2025/07/24

三星电子混合键合

存储大厂押注混合键合！

三星电子正引领高带宽存储器（HBM）技术向更高层数和更先进互连方案演进，计划逐步引入混合键合（Hybrid Bonding）技术，以克服当前制造工艺的物理极限。

全球半导体观察

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2025/07/24

HBM 混合键合

【先进封装】关键工艺技术对比：无助焊剂TCB vs.混合键合

在半导体封装技术持续迭代的背景下，新型键合工艺正成为突破芯片集成瓶颈的关键。作为当前的研究热点，无助焊剂热压键合（Fluxless TCB）技术凭借其独特的工艺优势，在AI加速器、高带宽存储器（HBM）及光电集成等领域展现出重要的价值。无助焊剂TCB创新性地采用等离子体处理与可控还原气氛相结合的方式，在无需助焊剂的条件下实现了高洁净度的金属键合

半导体产业研究

8203

2025/07/23

先进封装混合键合

混合键合（Hybrid Bonding）工艺介绍

所谓混合键合（hybrid bonding），指的是将两片以上不相同的Wafer或Die通过金属互连的混合键合工艺，来实现三维集成，在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封装都是采用焊锡球凸点(solder bump)或微凸点（Micro bump）来实现芯片与基板

屹立芯创-ELEADTECH

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2025/07/16

混合键合先进封装技术

混合键合，下一个焦点

作者；丰宁 "混合键合" 之战，似乎已箭在弦上。不管是在晶圆代工龙头、存储芯片巨头还是半导体设备龙头的发展路线图中，几乎都能看到 "混合键合（Hybrid Bonding）" 这一关键词。那么，为何这项技术能让台积电、三星等巨头集体押注？它又凭什么征服先进封装的下一个十年？ 01 混合键合，下一个十年随着摩尔定律逐渐进入其发展轨迹的后半段，芯片产业越来越依赖先进的封装技术来推动性能的飞跃。这

半导体产业纵横

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2025/07/01

HBM 混合键合

什么是混合键合？

混合键合（Hybrid Bonding）结合了电介质-电介质键合和金属-金属键合，无需使用焊料或其它粘合剂即可实现晶圆与晶圆、芯片与晶圆或芯片与芯片的互连。它不像传统热压键合（如TCB）那样依赖焊料，也不同于直接分子键合不带金属。

TOM聊芯片智造

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2025/05/26

混合键合键合工艺

青禾晶元发布全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合键合设备

中国半导体键合集成技术领域的领先企业青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司（简称“青禾晶元”）宣布，正式推出全球首台C2W&W2W双模式混合键合设备SAB8210CWW。作为先进半导体键合集成技术与解决方案的提供商，青禾晶元此次发布标志着公司在技术创新领域的又一重要突破。青禾晶元新推出的混合键合设备SAB8210CWW具备多尺寸晶圆兼容、超强芯片处理能力、兼容不同的对准方式等优势，可以帮

与非网编辑

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2025/03/12

芯片半导体产业

全球首台，独立研发！新一代C2W&W2W混合键合设备即将震撼发布！

由青禾晶元集团独立研发的全球首台C2W&W2W双模式混合键合设备——SAB 82CWW系列即将重磅登场！这是一场颠覆传统的技术革命，一次“延续摩尔”与“超越摩尔”的双重进化！随着半导体制程工艺逼近1nm物理极限，摩尔定律的延续面临巨大挑战。行业亟需通过“延续摩尔”（More Moore）与“超越摩尔”（More than Moore）两条路径寻找新突破。无论是3D堆叠技术提升集成密度，还

与非网编辑

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2025/03/06

HBM 3D