背面供电

• 散热：背面供电之后，多出来的 14℃ 从哪里来

  背面供电是2nm及以下关键使能技术，电源移至背面释放布线、减少金属层并改善压降；总功耗下降，但硅衬底减薄与键合层削弱横向散热，局部热点可能升约14℃。多组仿真印证温升。微流道、硅基水冷、金刚石正移入封装/晶圆，散热转为前道良率与成本瓶颈。

  旺材芯片

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  10/14 19:14

  金刚石 散热
• IEDM2025 FET缩放解析：从FinFET‑GAA到CFET+BSPDN背面供电技术

  这份《FET Scaling》是IEDM 2025会议专题，报告把晶体管迭代比作 “城市楼房升级”：从平面平房→FinFET 矮楼→GAA 多层公寓→CFET 立体叠楼，完整复盘数十年来 FET 晶体管微缩演进，剖析 AI 算力爆发之下传统平面微缩收益持续衰减的困境。

  芯科技圈

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  08/12 09:06

  FinFET FET

  
• 晶圆的另一面：背面供电领域的最新发展

  在我从事半导体设备的职业生涯之初，晶圆背面是个麻烦问题。当时发生了一件令我记忆深刻的事：在晶圆传送的过程中，几片晶圆从机器人刀片上飞了出来。收拾完残局后，我们想到，可以在晶圆背面沉积各种薄膜，从而降低其摩擦系数。放慢晶圆传送速度帮助我们解决了这个问题，但我们的客户经理不太高兴，因为他们不得不向客户解释由此导致的产量减少的原因。

  与非网编辑

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  2023/09/04

  台积电 半导体设备

  
• 背面供电与DRAM、3D NAND三大技术的未来预测

  最近有许多正在全球范围内研究和开发的技术，例如晶体管GAA（Gate All around）、背面供电以及3D IC。“VLSI研讨会2023”（VLSI2023）于2023年6月11日至16日在京都丽嘉皇家酒店举行。今年VLSI2023提交的论文数量为273篇，比去年夏威夷举办的232篇多了41篇。这273篇论文是近10年来提交论文数量最多的。录用论文数量达到89篇，创历史新高。然而，录用率只有33%。

  半导体产业纵横

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  2023/07/27

  dram 3D NAND

  

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