背面供电

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何为背面供电(BSPDN),顾名思义,就是将芯片上的电源线转移到晶圆空置的背面,可以看作是IMEC开创的“埋入式电源轨”(BPR)的升级版本。

何为背面供电(BSPDN),顾名思义,就是将芯片上的电源线转移到晶圆空置的背面,可以看作是IMEC开创的“埋入式电源轨”(BPR)的升级版本。收起

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  • 散热:背面供电之后,多出来的 14℃ 从哪里来
    背面供电是2nm及以下关键使能技术,电源移至背面释放布线、减少金属层并改善压降;总功耗下降,但硅衬底减薄与键合层削弱横向散热,局部热点可能升约14℃。多组仿真印证温升。微流道、硅基水冷、金刚石正移入封装/晶圆,散热转为前道良率与成本瓶颈。
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    这份《FET Scaling》是IEDM 2025会议专题,报告把晶体管迭代比作 “城市楼房升级”:从平面平房→FinFET 矮楼→GAA 多层公寓→CFET 立体叠楼,完整复盘数十年来 FET 晶体管微缩演进,剖析 AI 算力爆发之下传统平面微缩收益持续衰减的困境。
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    08/12 09:06
    IEDM2025 FET缩放解析:从FinFET‑GAA到CFET+BSPDN背面供电技术
  • 晶圆的另一面:背面供电领域的最新发展
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  • 背面供电与DRAM、3D NAND三大技术的未来预测
    最近有许多正在全球范围内研究和开发的技术,例如晶体管GAA(Gate All around)、背面供电以及3D IC。“VLSI研讨会2023”(VLSI2023)于2023年6月11日至16日在京都丽嘉皇家酒店举行。今年VLSI2023提交的论文数量为273篇,比去年夏威夷举办的232篇多了41篇。这273篇论文是近10年来提交论文数量最多的。录用论文数量达到89篇,创历史新高。然而,录用率只有33%。
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