背面供电_背面供电是什么意思

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2μm红线：背面供电的“热-力耦合”失效，与2028年全行业必须面对的24亿美元雷
2026年IMEDS会议上，国内芯片制造商玄武团队发布“玄武模型”，揭示背面供电TSV应力累积的三阶段模型，并提出应力管理方案。该模型指出TSV间距小于2μm时，应力呈超线性叠加，导致芯片在使用周期内失效概率显著上升。玄武团队通过仿真和实验验证，提出了应力缓冲层+梯度热退火的优化策略，成功将应力峰值降至0.65GPa，接近硅材料的临界屈服极限。团队预计未来将推出第二代应力管理方案，进一步提升芯片的可靠性和早期失效检出率。该模型不仅有助于提前预防失效，还为中国芯片制造业提供了自主可控的技术路线，缩短与国际领先企业的差距。

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109

55分钟前

芯片制造 TSV
晶圆的另一面：背面供电领域的最新发展
在我从事半导体设备的职业生涯之初，晶圆背面是个麻烦问题。当时发生了一件令我记忆深刻的事：在晶圆传送的过程中，几片晶圆从机器人刀片上飞了出来。收拾完残局后，我们想到，可以在晶圆背面沉积各种薄膜，从而降低其摩擦系数。放慢晶圆传送速度帮助我们解决了这个问题，但我们的客户经理不太高兴，因为他们不得不向客户解释由此导致的产量减少的原因。

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821

2023/09/04

台积电半导体设备
背面供电与DRAM、3D NAND三大技术的未来预测
最近有许多正在全球范围内研究和开发的技术，例如晶体管GAA（Gate All around）、背面供电以及3D IC。“VLSI研讨会2023”（VLSI2023）于2023年6月11日至16日在京都丽嘉皇家酒店举行。今年VLSI2023提交的论文数量为273篇，比去年夏威夷举办的232篇多了41篇。这273篇论文是近10年来提交论文数量最多的。录用论文数量达到89篇，创历史新高。然而，录用率只有33%。

半导体产业纵横

1065

2023/07/27

dram 3D NAND

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