键合工艺_键合工艺资讯

什么是激光解键合？

激光解键合利用特定波长激光从背面照射，使释放层发生光化学或光热反应，导致聚合物链断裂、局部碳化和粘接力下降，最终实现功能晶圆与载板分离。该方法具有无应力、室温操作的优点，并适用于Fan-out WLP/FOWLP、2.5D/3DIC、TSV工艺wafer thinning、Memory stacking(HBM)和Display/MicroLED背面处理等场景。

TOM聊芯片智造

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12/09 08:54

键合工艺

【先进封装】从引线键合、C4键合到混合键合的封装内互连技术演进

本文将主要归纳整理各种键合技术，关于封装内部互连结构中的元素，如基板、中介层和硅桥等，请参考另一篇文章《【先进封装】基板、中介层和硅桥：从概念到技术焦点详解》。

半导体产业研究

5688

08/06 16:25

先进封装键合工艺

【先进封装】关键工艺技术对比：无助焊剂TCB vs.混合键合

在半导体封装技术持续迭代的背景下，新型键合工艺正成为突破芯片集成瓶颈的关键。作为当前的研究热点，无助焊剂热压键合（Fluxless TCB）技术凭借其独特的工艺优势，在AI加速器、高带宽存储器（HBM）及光电集成等领域展现出重要的价值。无助焊剂TCB创新性地采用等离子体处理与可控还原气氛相结合的方式，在无需助焊剂的条件下实现了高洁净度的金属键合

半导体产业研究

6915

07/23 13:41

先进封装混合键合

混合键合，下一个焦点

作者；丰宁 "混合键合" 之战，似乎已箭在弦上。不管是在晶圆代工龙头、存储芯片巨头还是半导体设备龙头的发展路线图中，几乎都能看到 "混合键合（Hybrid Bonding）" 这一关键词。那么，为何这项技术能让台积电、三星等巨头集体押注？它又凭什么征服先进封装的下一个十年？ 01 混合键合，下一个十年随着摩尔定律逐渐进入其发展轨迹的后半段，芯片产业越来越依赖先进的封装技术来推动性能的飞跃。这

半导体产业纵横

1280

07/01 13:36

HBM 混合键合

一个不错的赛道，全球封装贴片键合设备供应商汇总（2025）

最近在更新半导体设备市场数据，我发现在我追踪的全球各大海外设备公司里，毛利最高的居然是做封装设备的荷兰BESI（见下图）和其它两家ASMPT、K&S相比，其65%的平均毛利率（2024年度）可谓是鹤立鸡群的存在

半导体综研

883

06/17 10:50

半导体设备键合工艺

什么是混合键合？

混合键合（Hybrid Bonding）结合了电介质-电介质键合和金属-金属键合，无需使用焊料或其它粘合剂即可实现晶圆与晶圆、芯片与晶圆或芯片与芯片的互连。它不像传统热压键合（如TCB）那样依赖焊料，也不同于直接分子键合不带金属。

TOM聊芯片智造

3224

05/26 15:40

混合键合键合工艺

破键合技术困局，青禾晶元引领国产半导体高端装备崛起

目前青禾晶元自主研发了一系列技术领先的晶圆及芯片键合设备，涵盖超高真空常温键合（SAB61系列）、亲水/混合键合（SAB62、SAB82系列）、热压/阳极键合（SAB63系列）、临时键合/解键合（SAB64系列）以及高精度TCB键合（SAB83系列）等，这些设备凭借其卓越的对准精度（可达百纳米级）和广泛的材料兼容性，赢得了市场的广泛认可。此外，还提供了超原子束抛光（SAB9500系列）和膜厚修整设备（SAB9510系列），以原子级的精度对材料表面进行精密加工，为高端应用提供有力支撑。

夏珍

3398

04/01 19:20

与非观察键合工艺

先进逻辑和3D存储的希望，PECVD、晶圆键合龙头——拓荆科技

随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在 90nm CMOS 工艺，大约需要 40 道薄膜沉积工序。在 3nmFinFET 工艺产线，需要超过 100 道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由 6 种增加到近 20 种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳

王兵

9595

2024/12/10

与非研究院 CVD