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STM32N6的开发日记(2)：配置、签名、烧录，配置外部Flash实现LED灯闪烁

STM32N6是一款集成了自研神经处理单元的MCU，具有强大的边缘AI算力。本文介绍了如何使用STM32CubeMX配置FSBL+XIP程序，并详细描述了烧录过程，包括配置FSBL和Appli工程、生成签名文件、使用STM32CubeProgrammer进行烧录。最终实现了从外部Flash加载FSBL并跳转至外部Flash地址执行Appli程序的目标。

实在太懒于是不想取名

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04/29 09:18

flash STM32N6

存储芯片的春天，被德明利“炸”出来了

犹记得去年，与非网一直有提示存储进入超级周期，这不，检验成色的时刻来了，前有佰维存储炸裂的1~2月业绩预告，如今德明利也公布其一季度最新业绩预告。数据堪称炸裂：预计实现营业收入73亿元至78亿元，同比增长超4.8倍；归母净利润更是从去年同期亏损6900多万元，一举跃升至盈利31.5亿元至36.5亿元，同比增幅超过46倍。这是什么概念？一个季度赚的钱，比过去好几年加起来都多。德明利这个名字，对于不

曹顺程

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04/01 08:24

存储 NAND

STM32G0B1 Flash 编程 PGSERR 错误排查：DMA 中断残留引发的非法写故障

在 STM32G0 系列 Flash 擦写编程中，不少工程师会遇到一个违背常识的故障：还没执行任何 Flash 擦除 / 编程操作，Flash 状态寄存器 SR 却已置起PGSERR（编程序列错误），不清除该标志就无法继续操作 Flash。这一现象极易让人怀疑芯片本身存在缺陷，而 ST 官方 LAT1210 应用笔记通过真实案例，揭开了这个诡异问题的真相 ——并非芯片问题，而是 DMA 中断残留导致的非法 Flash 写操作。本文基于该笔记，完整还原问题现象、根因定位、编译器差异解析及根治方案，帮你快速避开这类隐蔽的底层故障。

eefocus_3901714

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03/31 14:38

flash STM32G0

【CW32无线抄表项目】单片机SPI + DMA读写Flash (W25Q) 保姆级避坑指南

在使用SPI进行Flash读写时，采用DMA（直接内存访问）可以显著提高数据传输速度。本文详细介绍了如何正确配置DMA和SPI，以确保数据在内存和Flash之间高效传输。主要包括以下几个步骤： 1. **配置DMA搬运工**：确保DMA搬运工的角色明确，分为发送和接收两个通道。 2. **内存对齐**：确保内存地址是4字节对齐的，以避免DMA搬运过程中出现数据偏移问题。 3. **中断配置**：正确配置DMA中断，以便及时通知CPU搬运完成的情况。 4. **初始化SPI和DMA**：确保SPI外设和DMA外设都被正确启用，并配置好相关的寄存器。 5. **写入数据**：通过DMA将数据写入Flash，并确保清理接收缓冲区中的垃圾数据。 6. **读取数据**：通过DMA从Flash读取数据，并确保生成时钟信号以促使Flash返回数据。 7. **调试与验证**：通过调试工具检查寄存器值的变化，确保DMA搬运过程按预期进行。通过以上步骤，可以有效地利用DMA加速SPI与Flash之间的数据交互，提升整体性能。

CW32生态社区

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03/31 10:43

SPI CW32

RT1050 MCUXpresso IDE下JLINK切换QSPI Flash实操：烧录算法配置方案

NXP MIMXRT1050-EVKB 开发板默认搭载 HyperFlash，Segger JLINK 官方驱动也默认适配该闪存的烧录算法，而实际开发中若需切换为 QSPI Flash 作为程序存储介质，无需修改老旧的 JLinkDevices.xml 配置，仅需在 MCUXpresso IDE 中通过定制化设备名称参数指定 QSPI 烧录算法即可实现快速切换。本文详解基于新版 JLINK 驱动（以 V796b 为例）的烧录算法配置、工程适配及硬件注意事项，实现 RT1050 在 QSPI Flash 上的 JLINK 调试与烧录。

eefocus_3901714

2118

02/25 15:43

flash 烧录

启动Flash时DQS与Dummy Cycle设置是怎样的关系？

我们知道对于普通 QuadSPI 型 Flash，在 FlexSPI 模块 LUT 里配置读时序时，其中 Dummy Cycle 子序列中填的值必须要与 Flash 端的 Dummy Cycle 严格一致，否则会发生时序错乱（如下图 Extended 时序所示，图中是单线模式，四线模式类似）。

痞子衡

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02/16 07:12

flash

中微半导突发最高50%涨价，这可能只是开始

“即日起对MCU、Norflash等产品进行价格调整，涨价幅度15%-50%。”1月27日，中微半导体（深圳）股份有限公司向客户发出涨价通知函，芯片涨价潮已从存储领域蔓延至主控芯片。中微半导在函件中明确表示，此次涨价决定是“受当前全行业芯片供应紧张、成本上升等因素的影响，封装成品交付周期变长，成本较此前大幅度增加，框架、封测费用等成本也持续上涨”。涨价函背后的解析中微半导此次涨价并非孤立事件

曹顺程

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01/28 08:56

MCU dram

FPGA 设计的快速启动方法与远程更新（二）

本文我们介绍QickBoot实现细节，主要包括BPI和SPI配置模式下关键字含义及配置作用，以及远程升级如何规划Flash各个扇区功能，并给出BPI和SPI模式下Flash扇区规划示例。

FPGA技术实战

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01/15 09:15

SPI flash

如何在MCU指定Flash地址存入特定数据？

部分终端产品在出厂前需要在MCU Flash特定的地址处写入特定的数据，该数据可能是产品序列号、版本号或特定的配置参数等信息。比如我们希望在Flash 0x08030000地址处写入4个字节的数据0x11、0x22、0x33、0x44，如何实现该功能呢？

TopSemic嵌入式

2501

01/06 15:47

MCU flash

功能安全Flash全片自检优化：KEIL环境下Linker自定义变量自动获取 ROM 大小

在功能安全应用（如 ClassB、SIL 等级）中，Flash 全片自检是必备环节，需通过 CRC 校验确保 ROM 区数据完整性。传统配置方式需手动填写 ROM 大小，一旦代码修改导致 ROM 占用变化，易因配置参数不匹配引发自检失败。本文基于 STM32 功能安全自检库（ClassB 4.0），详解 Flash 自检原理，并提供 KEIL 环境下通过 Linker（链接器）自定义变量自动计算实际 ROM 大小的方案，彻底解决手动配置的繁琐与误差问题。

eefocus_3901714

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2025/12/30

flash

STM32H5 FLASH擦写HardFault解决：RO区域不可缓存，ICACHE需关或MPU配置

STM32H5（如 H503RB）擦写 FLASH 时触发 HardFault，核心原因是开启 ICACHE（指令缓存）后读取了 FLASH 的 RO（只读）区域（如 FLASHSIZE_BASE）——RO 区域默认不可缓存，缓存访问会引发总线错误。解决方案有两种：擦写前后关闭 / 重启 ICACHE，或通过 MPU 将 RO 区域设为 Non-cacheable，两种方案均可彻底规避异常。

eefocus_3901714

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2025/12/23

stm32 flash

大容量NOR的地址模式切换一定要谨慎！

痞子衡分享了在i.MXRT平台上使用16MB以上NOR Flash软复位导致无法正常启动的问题分析与解决经验。文章详细探讨了大容量Flash地址模式的设计、Zephyr驱动的处理方式以及RT系列芯片ROM的设计缺陷。最终提出一个通用解决方案，即在App程序中主动将Flash地址模式切回初始状态，以解决软复位后无法正常启动的问题。

痞子衡

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2025/12/22

flash NOR Flash

【教程】CW32串口flash编程工具分享

串口flash编程工具简介及移植教程，适用于CW32L012单片机，支持串口下载更新flash，提供灵活且高效的解决方案。

CW32生态社区

1315

2025/12/18

单片机 CW32

存储器Flash页、扇区、块的区别

Flash存储器中的页、扇区和块是其内部结构的基本组成单元。页类似于一本书的一页，扇区则是一个更大的存储结构单元，而块包含了多个扇区。不同的存储器类型和容量有不同的页、扇区和块的大小。在文件系统中，页和扇区是最小的物理存储单元，而在Windows等操作系统中，通常使用块作为最小的寻址单元。合理设置最小存储单元的大小可以有效避免寻址空间不足或存储空间浪费的问题。

strongerHuang

8754

2025/08/30

存储器 flash