芯耀
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美国参议院财政委员会6月16日审议通过《2025年美国竞争力税收法案》草案，拟将半导体制造业投资税收抵免比例从现行25%提升至30%，并延长清洁能源税收优惠政策。
根据草案内容，参议院版本拟将半导体工厂投资的税收抵免有效期延长至2026年底，抵免比例提高5个百分点至30%。此举旨在激励英特尔、台积电、三星和环球晶圆等企业在美加速建厂。值得注意的是，该条款与共和党众议员克劳迪娅·坦尼（Claudia Tenney）此前提出的《建造先进半导体法案》中35%的抵免比例存在差异。
根据草案内容，参议院版本拟将半导体工厂投资的税收抵免有效期延长至2026年底，抵免比例提高5个百分点至30%。此举旨在激励英特尔、台积电、三星和环球晶圆等企业在美加速建厂。值得注意的是，该条款与共和党众议员克劳迪娅·坦尼（Claudia Tenney）此前提出的《建造先进半导体法案》中35%的抵免比例存在差异。
目前法案推进仍面临挑战。参议院版本与众议院草案在关键条款上存在分歧，可能引发共和党内部政策争议。虽然特朗普政府曾表示希望废除《芯片法案》，但两党议员普遍支持延续这项为选区创造高薪就业机会的政策。
主要受益企业动态：
- 台积电：已启动亚利桑那州三厂建设，整体六座新厂按计划推进。公司此前向美商务部建议，通过税收政策提升美国半导体制造竞争力。
- 环球晶圆：得州新厂一期开始产生营收，密苏里州12英寸SOI晶圆厂获06亿美元补贴。若抵免比例上调，其规划的75亿美元总投资将获更多支持。
立法进程显示，参议院力争下周通过草案，目标在7月4日独立日前与众议院达成一致版本。但分析人士指出，两院在税收抵免比例、有效期等关键条款上的分歧可能影响立法进程。
来源: 与非网，作者: Supplyframe四方维，原文链接: https://www.eefocus.com/article/1852449.html
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