芯耀
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近日，“行家说三代半”观察发现，又有3个GaN项目正在推进：
imec、格罗方德、爱思强等：合作推进12英寸GaN项目，将采用硅衬底及QST衬底；
山东汶上县：签约GaN半导体智能制造项目暨芯片综合配套项目；
Wayvis：融资15.6亿用于投资建设射频GaN新工厂预计2027年投产。
imec、格罗方德、爱思强等：启动12英寸GaN项目
近日，imec在官网宣布，他们将启动一项新的项目计划，该计划以12英寸GaN技术开发为中心，旨在应用于低压和高压电力电子领域，爱思强、格罗方德、KLA Corporation、Synopsys 和 Veeco将作为首批合作伙伴加入这一项目。
imec表示，该项目旨在开发12英寸GaN外延生长技术、低压和高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺流程。他们首先将建立一个横向p-GaN HEMT技术平台，用于低压应用（100V及以上），该平台采用12英寸硅衬底。为此，imec正在进行以p-GaN刻蚀和欧姆接触形成为中心的工艺模块开发工作。
下一步，imec的目标是开发高压应用，对于650V及以上电压将采用12英寸QST®工程衬底。Imec预计将于将于2025年底前在其12英寸洁净室中全面安装12英寸工艺设备。
imec的研究员兼GaN功率电子项目主任Stefaan Decoutere表示，“他们与 CMOS兼容的GaN技术现在可以采用12英寸设备，这将使他们能够开发更先进的GaN基功率器件。例如用于负载点转换器的超小型低压p-GaN栅极 HEMT，可为CPU和GPU提供更节能的电源分配。”
山东汶上县：GaN新项目落地
近期，据“汶上县投资促进服务中心”官微透露，当地政府举行了氮化镓半导体智能制造项目暨芯片综合配套项目签约仪式，当地县委领导，上海格晶半导体有限公司董事长白俊春等人出席了仪式。
投资方代表在致辞时表示，他们将充分发挥自身技术优势，把多年的技术积累与汶上扎实的产业基础深度融合，全力打造具有核心竞争力的半导体产品，带动上下游企业协同发展，形成产业集聚效应。
目前，关于该项目尚未透露更多进展，“行家说三代半”将保持密切关注。
Wayvis：GaN新工厂预计27年投产
11月，据韩国多家媒体报道，专注于射频氮化镓半导体及国防领域的公司Wayvis计划发行价值335亿韩元（约合人民币15.6亿）的可转换债券（BW），将获得成立以来规模最大的一次融资。
文章进一步透露，Wayvis的融资资金将用于投资建设下一代射频氮化镓半导体及一体化生产基地。该基地位于韩国天安市，将配备超高频射频氮化镓半导体生产设备、军用级可靠性验证设施和射频测量设施，预计新工厂将于2027年初投入运营，Wayvis总部搬迁工作也将顺利完成。
Wayvis表示，目前包括IBK Capital、三星证券、SBI Investment和Smilegate Investment在内的多家机构参与了此次投资，他们将加快向MMIC、FEM和晶圆代工等高附加值业务领域拓展，通过开发和优化用于先进武器系统的超高频技术，为国防半导体领域提供支持。据“行家说三代半”此前报道，Wayvis是韩国第一家成功在国内生产氮化镓射频半导体芯片的公司，于2021年进入印度国防工业市场，并于2024年10月在韩国KOSDAQ（创业板）市场上市，并陆续获得印度铁路通信基础设施的氮化镓射频半导体订单、印度最大国有国防工业公司的高功率氮化镓半导体代工工艺订单。
