无异常才是真境界

无异常才是真境界在小封装中实现大电流仅是开端。多数现代功率级器件标称100A电流，但在5×6mm的占位面积上，这便成为密度的博弈——电流密度、热密度、开关密度。

真正的考验始于首次切换瞬间：电流开始上升时，电压仍处于高位。在短暂的交叠时刻，二者共存。这种交叠损耗从未出现在效率报告中，却直接决定温升。温度决定余量，余量决定实际使用寿命。关键不在稳态负载，而在临界边缘。

DI100N10PQ-AQ正是为此临界点而设计：典型导通电阻3.5mΩ控制传导损耗；低栅极电荷与输出电荷缩短交叠时间窗；开关损耗在累积前即受限制；低于2.5K/W的热阻为热量提供明确路径；高达480A的峰值漏极电流提供瞬态余量；144mJ的雪崩耐量吸收理想电路忽略的感性应力；175°C最高结温确保汽车环境中的实际余量。

在紧凑型功率设计中，芯片性能仅是一半要素，约束条件的协同匹配构成另一半。当电气特性、散热路径与开关速度协调一致时，便不会出现异常状况。而在功率电子领域，“无异常”才是真正的成功。