芯耀
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近日，日本调研机构富士经济发布最新报告显示，2025年中国企业天岳先进（SICC）在全球碳化硅衬底市场占有率跃居第一，在6英寸与8英寸细分市场均位列全球首位，其中8英寸产品市占率更是突破50%，打破了美国Wolfspeed长期以来的行业领先地位。
三年跨越：从全球前三到全面领跑
在2023年之前，全球碳化硅衬底市场长期由Wolfspeed主导。根据Yole数据，2022年Wolfspeed市占率高达42%，而天岳先进整体市占率约为10%—12%，主要集中在半绝缘型衬底领域。
转折发生在2023年。随着临港工厂投产，天岳先进产能快速释放，技术积累开始转化为市场份额。到2024年，公司市占率提升至22.8%，跃居全球第二；2025年进一步实现反超，正式登顶全球第一。
这一过程中，产能扩张、技术突破以及与国际头部客户（如博世、英飞凌、安森美）的深度合作，成为关键推动因素。
8英寸突破：抢占大尺寸产业制高点
本轮竞争中，一个重要亮点是天岳先进在8英寸碳化硅衬底上的领先优势。
当前碳化硅市场仍以6英寸为主，但8英寸已成为行业公认的发展方向。相比6英寸，8英寸晶圆可提升约90%的芯片产出，并有望将器件成本降低超过50%。
富士经济数据显示，天岳先进在8英寸产品的全球市占率已超过50%，具备显著先发优势。与此同时，英飞凌、博世、罗姆等国际厂商也在加速推进8英寸产线布局，全球已有多条产线规划落地。
技术与产能双轮驱动
天岳先进的领先，背后是长期技术积累与全流程能力建设。在技术层面，公司已掌握从粉料合成、晶体生长到衬底加工、质量表征的完整工艺体系，并在业内率先实现液相法制备8英寸无宏观缺陷衬底。同时，公司已构建覆盖导电型、半绝缘型及P型的全产品矩阵。
在产品进展方面，公司不仅实现8英寸产品的大规模稳定供应，还在12英寸碳化硅衬底上取得关键突破。2024年推出12英寸产品后，目前已进入向多家核心客户批量交付阶段，标志着大尺寸产业化迈出实质性一步。
在产能方面，公司规划总产能达96万片，并通过持续扩产进一步巩固市场地位。同时，2025年登陆港交所后，资本实力的增强也为其全球化布局提供了支撑。
下游驱动：碳化硅应用全面加速
碳化硅衬底作为第三代半导体核心材料，其需求增长与下游应用密切相关。在新能源汽车领域，碳化硅器件已从“高端选配”逐步走向“主流配置”，不仅应用于主驱逆变器，也拓展至车载充电机、DC-DC、电池管理系统等多个环节。根据Yole预测，全球新能源汽车中碳化硅渗透率将从2022年的19.2%提升至2029年的47.7%。
与此同时，碳化硅的应用边界正在进一步拓展：
- 在AI数据中心领域，800V高压直流与固态变压器（SST）推动碳化硅需求提升在AR/VR光学领域，半绝缘型SiC衬底凭借光学性能优势实现突破在先进封装领域，碳化硅凭借高热导率与绝缘性能，有望替代硅中介层
这些新兴场景，正在成为行业新的增长引擎。
展会观察：技术进展集中释放
在SEMICON CHINA 2026展会上，天岳先进集中展示了其在大尺寸衬底方面的最新进展。
一方面，12英寸产品已实现批量交付，显示出较高的工艺成熟度与稳定性；另一方面，8英寸产品已形成高品质、大规模供应能力，并在电阻率控制、缺陷检测等方面持续优化。
展会期间，公司CEO高超博士在论坛中表示，公司正从下游需求出发，持续优化衬底性能指标，包括推进更薄化（如350μm衬底）、提升电阻率均匀性以及开发无损检测技术，以提升器件良率与生产效率。
最后
天岳先进此次登顶全球第一，不仅是企业层面的突破，也反映出中国在碳化硅关键材料领域的话语权显著提升。
从6英寸到8英寸，再到12英寸，从技术追赶到规模引领，碳化硅衬底产业正在进入新一轮竞争周期。随着AI、新能源与先进封装等需求持续释放，具备技术与产能优势的企业，有望在下一阶段进一步扩大领先地位。
