2026年4月26日至28日,第四届中国(安徽)科技创新成果转化交易会在合肥滨湖国际会展中心举行。本届展会以成果转化为导向,集中展示近900项首发首展成果。
展会上,阿基米德半导体(总部位于合肥)首次公开亮相其“Diamond Inside”系列三电平功率模块,并展出1200V ACP-3S金刚石集成样品。
如果仅从产品角度看,这是一款通过异质集成工艺,将金刚石材料嵌入模块内部的功率模块。但如果放到功率半导体的产业演进链条中,这一步更接近于一种路径变化——金刚石开始从材料与热沉形态,进入模块内部结构。
过去三年,金刚石产业在做什么
2019年,法国初创公司Diamfab成立,专注于合成金刚石外延生长与功率器件开发。2024年3月,Diamfab完成870万欧元(约合8.7百万欧元)融资,用于建设洁净室和试点生产线,计划到2024年底完成,并明确路线图:推进4英寸晶圆规模化,面向电动汽车、电网等高功率场景。其技术已验证出>7.7MV/cm击穿电场和>1000A/cm²电流密度,性能远超现有SiC和GaN。
类似探索在中国、英国、日本、美国也在持续推进,包括金刚石MOSFET结构、GaN-on-diamond异质集成等方向。尤其是在射频与高功率电子领域,GaN-on-diamond逐步从实验室走向工程验证,通过将氮化镓器件与金刚石高导热衬底结合,显著降低沟道温度,提高器件功率密度与可靠性。
与器件路线并行的,是以Element Six为代表的材料企业在热管理方向的持续推进。作为De Beers Group旗下的合成金刚石材料公司,Element Six长期布局金刚石材料的功能应用方向。
国内方面,围绕CVD金刚石材料的产业化也在同步推进。例如四方达、国机金刚石、惠丰钻石、黄河旋风、力量钻石等企业重点布局热管理与功能材料方向,下游逐步对接功能应用场景。整体来看,材料端已经从“单一材料供给”,转向“面向应用的定制化热管理能力”。
从材料物性来看,金刚石的优势并不复杂:禁带宽度约5.5eV,热导率超过2000 W/(m·K),击穿场强显著高于SiC与GaN。
但工程层面的问题同样清晰:晶圆尺寸仍偏小,掺杂与外延控制难度较高,成本也难以匹配车规与电网级应用。
因此,过去三年形成的状态是,材料性能不断被验证,但器件产业化节奏相对缓慢。
另一条路线已在发生:封装与热管理侧开始“先动”
与材料端相比,应用侧的变化更为直接。
2023年以来,多个高功率场景同步抬升:AI服务器电源功率密度持续提高,新能源汽车进入800V平台,储能系统向更高电压与更大功率演进。
这些变化逐步把问题集中到同一个位置——热。
在传统功率模块中,热需要依次通过焊料层、陶瓷基板、铜底板再传导至散热器,路径长、界面多,热阻逐层叠加。当功率密度继续提升时,仅依赖外部散热(风冷、液冷)的方式开始接近极限。
在这一阶段,行业出现一个较为一致的调整方向:将高导热材料从外部散热结构,前移到封装内部。
金刚石因此逐渐从实验室材料,转向热扩散层、热沉以及封装集成材料。例如在GaN-on-diamond等研究中,通过引入金刚石衬底或导热层,可以显著降低器件结温,提高热扩散效率。
这种变化并不直接替代现有器件,而是先进入封装体系,解决更现实的热管理问题。
阿基米德:直接改“模块内部结构”,实现热路径基因重构
阿基米德核心团队来自英飞凌、安森美、华为等,依托中科院院士领衔力量,具备从芯片设计到封装集成的全链能力,已建成多条SiC/IGBT模块自动化产线(年产能达数十万只车规级模块)。
其“Diamond Inside”1200V ACP-3S三电平模块,核心创新在于异质集成工艺:将金刚石材料深度嵌入模块内部,而非外部贴附。
传统功率模块热路径大致为:芯片 → 焊料/烧结层 → 铜基板/DBS → 导热硅脂 → 散热器/液冷板。热阻高、路径长、依赖笨重外部附件。
阿基米德方案则重构为:芯片 → 金刚石导热路径 → 外部结构。金刚石超高热导率在模块内部形成低热阻通道,直接数据体现为:
热阻下降约40%
相同结温下可承载更高过载电流,有效抑制瞬态热冲击。高热流密度场景下,峰值结温可显著降低。
整机减重约30%
大幅削减对大型散热器和冷却系统的依赖。模块本体轻量化直接转化为系统级收益。
标准封装,即换即用
保留行业通用I型三电平拓扑和标准封装尺寸,下游客户无需修改电路设计或驱动,即可实现“无感升级”。
这一变化对具体应用冲击明显:
eVTOL(低空经济)
每减重1克都直接转化为续航或载荷提升。
具身智能/机器人
关节驱动对功率密度和重量敏感,轻量化提升负载能力。
AI服务器电源与高性能算力中心
支持更高机柜功率密度,缓解液冷系统压力。
新能源汽车800V平台与光伏储能
开关频率和功率提升后,热管理成为瓶颈,模块级优化可提升系统效率和可靠性。
产业链正在分化
到2025—2026年,金刚石相关产业逐渐形成分层结构。
上游集中在材料与晶圆,继续推进尺寸与加工成本;
中游是热管理与封装,将材料能力转化为结构能力;
下游是系统应用,对功率密度与热性能提出更明确要求。
材料端仍解决基础问题,应用端已经提出更高的功率与热管理要求,而封装层开始承担连接两者的角色。不同路径都在推进节奏,其中模块集成更接近应用端,验证与导入速度相对更快。
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