自研主控芯片,全栈能力突破
芯片开发向来遵循“木桶理论”,整个功能实现最短板的地方就是瓶颈所在,AI算力中心大力发展光模块和CPO就是在整个算力集群的铜缆互联存在延迟和带宽问题,而这个延迟已经成为木桶最短的板了。存储芯片也是如此,当NAND(非易失性闪存存储器)不能满足高数据速率和大通信带宽时,HBM通过3D堆叠进一步减少互联距离提升算力机组性能。但是消费电子、车载和安防等领域不需要高性能存储器,那决定芯片性能和可靠性的关键角色就落到了主控芯片上了,自主研发主控芯片也是国产存储产业长期面临的 “卡脖子” 环节。
佰维存储在主控芯片领域的布局,体现了其对行业趋势的深刻理解,长期以来存储模组厂商依赖外部主控芯片(Controller IC)供应商,主控芯片不仅负责数据的读写调度、错误校验(ECC)及损耗均衡(Wear Leveling),更是决定存储产品功耗、寿命及性能表现等核心指标,也正是深耕上游芯片设计,不断流片与迭代升级打磨产品,成功实现了从模组厂商向底层芯片设计这一核心技术能力半导体企业的身份转变。在半导体行业全栈能力的突破,不仅是技术层面的跃迁,更是公司在产业价值链中向上游攀升的战略选择,是获取市场话语权的唯一途径。
佰维存储深耕主控芯片研发多年,实现了从 0 到 1 的关键突破,首款国产自研 eMMC 主控芯片 SP1800 已成功实现量产,凭借高可靠性与可定制化特性,不仅批量交付智能穿戴、智能手机领域客户,还被广泛应用于电力、网安等工控领域,同时获得国家市场监管总局首批芯片产品白名单认证。针对高端主控芯片领域,自研的 UFS 主控芯片 SP9300 已于 2026 年 2 月完成投片,采用业界领先的架构设计,根据公司透露信息目前UFS主控芯片的设计指标符合预期,各项性能和低功耗指标具备较强的竞争力,目标产品为下一代AI手机、智能穿戴和智能驾驶等应用领域。据业内人士透露,全新自研 UFS 主控芯片自研固件算法优化了数据的读写路径,并且还开发了针对AI应用场景的数据预取技术满足了AI设备对小体积、低功耗与高性能的复合需求。
封测制造双链条,国产替代快车道
正是通过“芯片设计+固件开发+封装测试”的垂直整合,佰维存储产品实现系统级的平衡。公司拥有国内领先的存储测试机开发能力,涵盖了ATE(自动测试设备)、Burn-in(老化测试)以及SLT(系统级测试)等关键设备。半导体产业发展至今,封装和测试已经从传统的后道代工转变为提升芯片综合性能,实现3D堆叠和异构集成的核心产业链环节,自主构建的"封装+测试"双链条,形成“芯片设计->封装集成->产品终测”一体化经营模式,这在国产厂商中占尽了先机。轻资产化的类“IDM”模式不仅可以稳固中下游供应链,同时在攻克复杂封装和开发更高性能主控时具备其他家没有的灵活性。
根据官网信息,目前佰维存储封测制造能力主要布局在惠州和正在建设中的东莞松山湖基地,目前惠州佰维作为制程中心,专注于高密度存储产品的先进封装及存储器制造,目前产能已经近乎拉满,产品良率稳步提升。
佰维存储产品主要封装和特点(数据源:Biwin)
东莞松山湖基地则专注于晶圆级先进封测制造项目,该项目专注于Bumping、RDL、Fan-out等晶圆级先进封装技术,旨在解决AI计算中突出的“存储墙”问题。存储的晶圆级封装能够缩短存储器芯片间与控制芯片的互联距离,同时还可以结合算力芯片实现异构集成,显著提升带宽并降低延迟,这对于AI算力服务器和自动驾驶等领域具有前瞻性的战略意义。针对先进封装技术,佰维规划了两大产品线FOMS系列和CMC系列:
• FOMS(Fan-out Memory System)主要面向低功耗闪存芯片封装,基于FOMS-R晶圆级工艺开发的超薄LPDDR产品,专为端侧AI和高端手机设计
• CMC系列(Computing Memory Chiplet)专注于开发存算一体混合封装形式,外购算力芯片结合自研主控+NAND,将计算芯片与大容量存储器集成在一起,实现CMC高密度互联,面向于AI算力集群、AI PC和人形机器人等高算力+大存储场景。
除了惠州和东莞的封装技术,佰维同时涉足与AI眼镜和智能穿戴等领域,Meta发布的Ray-Ban AI眼镜中,佰维作为国内核心供应商,提供了高价值的ePOP存储芯片,在总重量不到50g的框架内,将eMMC和LPDDR巧妙封装在一起,实现超薄堆叠。随着AI眼镜市场出货量的爆发式增长(预计2026年中国市场将增长121.1%),佰维作为核心供应商将充分受益于这一硬件红利。
过去几年间存储芯片的国产替代进入“深水区”,消费电子和传统家电、工控已经进入红海,佰维瞄准智能汽车和算力中心存储这两个利润最丰厚、技术壁垒最高的领域深耕,目前已完成头部车企大批量交付LPDDR和eMMC产品,并针对自动驾驶所需的宽温、防震等特性推出了专属的车规级解决方案;面对企业存储和算力中心存储市场,则采取迂回战术,在一线主流原厂三星、海力士、美光纷纷将产能中心放在高毛利的HBM(高带宽内存)时,自然对传统SSD和DDR排产减少,佰维则通过灵活的供应链和产能布局迅速弥补缺口。
这一布局已经体现在财报上,2025年公司实现营收113.02亿元,同比增长68.82%;归母净利润达到8.53亿元,同比暴涨429.07%,更有趣的是在2026年3月4号公司自愿性披露2026年1月-2月的业绩预告,业绩堪称炸裂,公司预计2026年1至2月,实现营收40亿至45亿元,同比增长约340%至395%;归母净利润预计为15亿至18亿元 ,短短两个月的利润已经超过了2025年全年的利润总额。
并且根据深芯盟自研量化模型研究深圳六大存储器公司市场表现指数来看,佰维存储处于第二梯队,虽然相较于头名江波龙落后,但是盈利能力十分亮眼(更多细节参看往期推文 《【五维分析】 2025 年深圳六大存储器公司市场表现指数榜单》)。
结语
从深圳到全球,从模组厂到类IDM龙头,佰维存储的崛起并非偶然,而是技术自主、产业链协同与战略卡位共同作用的结果。公司在自研主控芯片上的突破,使其拥有了在底层逻辑上优化产品的能力;在先进封测上的重资产投入,使其构建了难以逾越的竞争护城河;而对AI新兴终端的深度绑定,则使其掌握了通往下一个计算时代的钥匙。
文中插图为NotebookLM生成
参考:
《佰维存储-官网信息》
《佰维存储业绩披露公告》
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