三星SK海力士中国扩产、升级

三星电子和SK海力士正在加速重组其在中国的生产基地，同时推进工艺改进和扩大产能。随着全球对人工智能（AI）的需求不断增长，存储器供应短缺问题日益加剧，尽管美国对中国实施限制，但两家公司似乎正在利用其中国工厂来应对这一挑战。

据韩国金融监督院和半导体媒体3月31日报道，三星电子去年在其位于中国陕西省西安市的NAND闪存生产线投资4654亿韩元，较前一年的2778亿韩元增长67.5%。西安工厂是三星电子唯一的海外NAND闪存生产基地，占其总产量的40%。

据报道，三星电子近日在其西安工厂开始量产第八代V-NAND闪存（V8），该闪存采用236层堆叠结构。这是对现有128层（V6）工艺的升级，据称可同时提升生产效率和存储性能。

该公司计划以V8 NAND的量产为跳板，加速下一代产品的研发。三星电子目前正在其西安二厂（X2）建设一条286层V9 NAND生产线，目标是在年内实现量产。

此举被解读为三星电子意识到，现有NAND产品的竞争力已受到限制。这是因为，凭借100层产品难以超越中国，而中国最大的NAND制造商长江存储（YMTC）已开始量产高达294层的NAND闪存。然而，也有批评指出，YMTC在生产规模和良率方面仍需进一步验证。

此外，有分析指出，由于中美冲突导致先进NAND闪存制造设备进口到中国变得更加困难，三星电子加快了其工艺转型。尽管三星电子获得了“认证最终用户（VEU）”资格，得以豁免进口限制，但自去年年底以来，该公司仍需每年获得美国政府的批准。

该公司计划以目前的V8 NAND量产为基础，加速下一代产品的研发。SK海力士去年也向其位于江苏省无锡市的DRAM工厂和位于辽宁省大连市的NAND闪存生产子公司投资超过1万亿韩元。

据报道，SK海力士已于去年1月将其无锡工厂的工艺从现有的1z工艺升级为1a工艺。无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能用于生产1a工艺的DRAM。通过这一产能，无锡工厂有望实现高附加值产品（例如第五代DDR5（双倍数据速率））的量产，从而提升整体性能。

虽然1a DRAM需要极紫外光刻（EUV）工艺，但由于美国出口管制条例的限制，目前此类设备进口到中国受到限制。因此，SK海力士采取的应对措施是：在韩国进行微电路制造所需的EUV工艺，并在无锡完成剩余工序。值得一提的是，无锡工厂是SK海力士的关键生产基地，其DRAM总产量占公司总产量的30%至40%。

祥明大学系统半导体系教授李钟焕表示：“尽管中美两国都有相关法规，但半导体公司不能忽视中国市场。因此，他们将继续以通用DRAM为核心进行生产，同时将本土工艺提升到一定水平。”他补充道：“在国内生产高附加值产品的双轨战略势在必行。”

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