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不同器件建模与优化对SiC MOSFET在极端工况下Tvj计算的影响与分析

4小时前
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作者简介:张浩1, 刘星2, 孙 清2, Ghazaryan Areg2, 荆晓博1, Andreas Huerner2, Maria Cotorogea2(1 英飞凌科技(中国)有限公司,中国上海;2 英飞凌科技股份公司,德国)

通讯作者:张浩,  Hao.zhang@infineon.com

报告人:张浩, Hao.zhang@infineon.com

/ 摘要 /

新能源汽车应用中(如主逆变器和OBC等),SiC MOSFET器件面临着极端工作条件的挑战,如主动短路(ASC)和浪涌电流冲击等,其主要的失效模式都是与热相关,即芯片表面金属层(AlCu或Al等)的高温熔融。鉴于这类极端工况的特点(超高结温、超大电流等),和当前典型的仿真模型的局限性,文章基于SPICE和PLECS的SiC MOSFET器件建模,进行了详细的优化和改进,并取得了很好的效果,尤其是PLECS模型优化中的在线热阻更新功能等。最后,基于相同的ASC工况,将优化后的PLECS、增强版的SPICE和3D有限元热仿真的结果,进行了对比分析,和相关的总结。

1. 简要背景

根据相关论文和文献的研究,无论是ASC还是浪涌电流冲击,SiC MOSFET器件的主要失效模式,都与高温大电流下的芯片表层金属熔化相关。因此,如何尽可能准确地仿真评估,SiC MOSFET器件在上述极端工况下的结温Tvj,一直是业内研究热点,也是本文的重要研究内容。

2. 基于SPICE的SiC MOSFET器件建模与优化

典型的SPICE模型(如英飞凌官网的SiC MOSFET SPICE模型),默认都是基于规格书的SPEC进行校正(≤3xInom, ≤200˚C),如图1中的区域B,无法覆盖与ASC和浪涌工况相关的区域D。因此,典型的SPICE器件模型,只适合常规工况相关的仿真。

图1.典型的SPICE模型覆盖区域与ASC和浪涌工况的典型区域

针对ASC和浪涌工况,需进行额外的模型优化。如图2,增强版SPICE模型,根据实际物理结构与理论公式的Cauer热阻模型,同时考虑了高温的影响,在ASC工况下,取得了很好的仿真效果:

图2.增强版SPICE模型对ASC工况仿真的显著提升

3. 基于PLECS的SiC MOSFET器件建模与优化

继续上述增强版SPICE的优化方向,针对ASC和浪涌工况,文章同时对SiC MOSFET器件的电学模型和热阻模型,进行更全面和深入的器件建模与优化。

3.1电学模型的优化

在ASC和浪涌工况中,需要高温和大电流区间的V&I数据,很难通过实验测量获得。基于传统数值公式的外推法,又会带来误差的不确定。因此,文章建议,可采用经过校正的器件TCAD模型,进行V&I数据的生成,用于电学模型的V&I数据,相对误差可控,如图3所示:

图3.来自TCAD仿真的高温大电流V&I数据(举例参考)

3.2热阻模型的优化

在ASC和浪涌工况中,需要高温的热阻Zth曲线;而在高温下,很多材料(如SiC等)的导热率和比热容等参数都会变化,因此,规格书的热阻Zth曲线也无法适用,如图4所示,不同Tvj温度下,Zth曲线会随之变化。

图4.器件ZthJC曲线随Tvj升高而增加(基于3D有限元热仿真)

因此,如何建立准确的覆盖高温的器件Zth曲线;同时,在ASC和浪涌仿真过程中,器件Zth曲线能随Tvj波动而变化,即Zth的在线更新。

为了解决上述难题,文章创新地提出了Zth热阻建模与优化的三步策略,如下图5:

图5.针对ASC和浪涌的热阻建模与优化的思路

3.3PLECS模型优化与验证

基于上述的电学与热阻的优化,在PLECS里进行了建模与电路仿真验证,如下图6:

图6.基于PLECS的器件模型优化与验证

4. 不同建模与优化的对比与讨论

4.1 优化后的PLECS与3D有限元热仿真的对比,如图7:

图7:基于相同ACS功率输入的PLECS与3D有限元热仿真的对比

4.2 优化后的PLECS与增强型SPICE仿真的对比,如图8,

图8:基于相同ACS电流输入的PLECS与增强型SPICE仿真的对比

4.3 在线热阻更新对ASC仿真的影响,如图9:

图9.基于相同ACS电流输入的PLECS仿真中在线Zth更新的影响

5. 总结

针对ASC和浪涌工况,改进后的SiC MOSFET增强版SPICE模型,相比典型的SPICE模型,取得了更好的仿真效果,且与实测结果接近。

在PLECS中,进一步深入优化了器件的电学和热阻模型,在对比3D有限元热仿真,和对比增强版SPICE仿真中,都取得了非常好的仿真精度。尤其是在这类极限工况(ASC和浪涌等)的芯片Tvj仿真过程中,引入在线Zth更新的概念,可更准确地表征高温波动对热阻的影响,从而进一步提高仿真的准确性。

 

特别致谢:

除了作者栏中相关同事们,对文章各个部分的贡献与付出,在此也特别感谢 Reto Christen(christen@plexim.com)和 Sisi Zhao(zhao@plexim.com)在PLECS仿真中的建议与支持。

英飞凌

英飞凌

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域--高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域--高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。收起

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英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工,在2023财年(截至9月30日)的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。 更多信息,请访问www.infineon.com