芯耀
与非AI
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2026年以来，国内第三代半导体赛道融资热度逐步回归理性。一级市场资本告别盲目概念炒作，资金显著向已实现产品送样、客户验证、小批量交付的产业化企业集中。细分赛道中，碳化硅（SiC）仍是融资核心主力，氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga₂O₃）及上游设备、耗材配套项目融资稳步推进，产业投资结构持续优化。
1碳化硅赛道：大额融资集中车规器件与晶圆制造
2026年碳化硅赛道融资体量最大、项目落地最为密集，融资主体覆盖衬底、晶圆制造、功率模块等核心环节。投资方以地方国资、产业资本为主，资金主要用于产线扩建、车规可靠性认证、下游市场拓展，产业化落地导向明确。
2月6日，#长飞先进 完成超10亿元A+轮融资，由江城基金、长江产业集团领投，光谷金控、奇瑞芯车智联基金跟投。公司聚焦碳化硅功率半导体研发与制造，芜湖基地已实现量产，武汉6英寸碳化硅晶圆产线持续产能爬坡。本轮融资将用于碳化硅全产业链技术迭代，重点拓展新能源汽车、光伏储能等终端市场。作为国内碳化硅赛道标杆企业，本次融资体现省、市两级国资对第三代半导体产业化项目的持续加持。
3月，#中瑞宏芯 完成亿元级B+轮融资，优优绿能、纳芯微战略入股。公司专注SiC功率芯片与模块研发，本轮资金主要用于产品迭代升级与下游客户验证，产品重点适配新能源车、储能电源等应用场景。同期，半导体键合装备企业青禾晶元完成约5亿元战略融资，由中微公司、孚腾资本联合领投，北汽产投跟投。公司产品适配碳化硅、氮化镓晶圆键合工艺，属于第三代半导体上游核心装备环节。
3月18日，#创锐光谱 完成超亿元A轮融资，由君联资本领投。企业主营SiC衬底、晶锭缺陷无损检测设备，相关设备已批量交付国内头部碳化硅产线，可替代传统腐蚀检测方案，有效补齐国内碳化硅材料高端检测设备的国产化短板。
6月，湖南云思半导体完成数千万元A轮融资，派诺资本领投。公司专注研发SiC/GaN外延设备配套高端石墨耗材，产品已稳定供货国内头部碳化硅企业。本轮融资将用于产线升级与12英寸新品研发，补齐第三代半导体上游关键耗材国产化缺口。
8月13日，#爱仕特 完成数亿元B轮融资，中显芯科集团领投，钱塘和达产业基金跟投，武岳峰科创、深创投、中芯聚源、上汽集团等老股东持续加持。公司主营SiC功率模块，产品覆盖AI服务器电源、新能源汽车两大核心领域。本轮融资将用于杭州钱塘基地产能扩建，加速碳化硅功率模块规模化落地。
8月15日，#北一半导体 完成4亿元C轮融资，新老股东共同加码。企业布局IGBT、SiC功率器件及功率模块业务，本轮资金重点投向AI服务器先进封装产线建设，完善IDM全链条闭环，公司二期产线计划于9月正式投产。
9月，#晶能微电子 完成6.3亿元C轮融资，企业累计融资规模接近20亿元。公司聚焦车规级SiC功率模块、AI固态变压器SST模块，本轮资金将用于产品迭代、产线建设及可靠性验证平台升级，持续拓展AI算力、航空航天等高附加值市场。
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2氮化镓赛道：衬底企业获资本加注，聚焦早期产业化落地
相较于碳化硅赛道，2026年氮化镓整体融资金额相对偏小，融资事件主要集中在单晶衬底环节，产品主要面向快充、通信电源、工业电力电子等成熟应用场景，处于产业化早期突破阶段。
6月4日，#安徽国镓芯科 完成A轮融资，投资方包括安芙兰资本、池州产投，具体融资金额未对外披露。公司主攻氮化镓单晶衬底，可量产4英寸、6英寸GaN衬底产品，池州生产基地已进入设备调试阶段，规划年产8万片氮化镓衬底产能，计划年内逐步投产。本轮融资将重点用于衬底良率提升与下游器件客户验证落地。
7月，远山半导体完成4900万元增资，投资方为恒铭达。企业专注GaN器件研发与产业化，增资资金用于产品测试迭代与终端客户导入，产品适配通信电源、工业电力电子市场。
同期，#微崇半导体 完成数千万元战略融资，聚焦GaN功率器件技术开发与产品落地。
3氧化镓赛道：超宽禁带新材料迎来资本集中入局
氧化镓作为新一代超宽禁带半导体材料，是2026年第三代半导体赛道的核心增量亮点。年内多笔大额融资集中落地，资本加速布局下一代高压功率半导体材料赛道。
8月13日，#镓仁半导体 完成数亿元A轮融资，由方广资本、深创投领投，远致星火、中国中车、传化资本等机构跟投，老股东超额追加投资。企业主营6/8英寸氧化镓衬底与外延片，本轮资金将用于产线扩产、器件客户验证，推进“衬底-外延-器件”全产业链布局落地。
9月5日，#富加镓业 完成近亿元A+轮融资，投资方涵盖深创投、中网投、仁智资本。公司专注氧化镓单晶与外延材料研发生产，国内首条6英寸氧化镓单晶及外延产线正在建设中，目标年内实现万片级产能落地。
4融资特征与行业观察
从整体行业背景来看，2026年国内第三代半导体融资市场整体趋于理性务实，彻底告别此前盲目追热、扎堆炒作的行业乱象。资本投资重心持续向产业化落地倾斜，优先布局有产品、有客户、可落地的优质企业，国资与产业资本成为赛道投资主力。
赛道分化特征显著，碳化硅凭借成熟的应用场景，持续占据融资核心地位，支撑行业产业化主力进程；氮化镓稳步推进早期产业化布局；氧化镓等超宽禁带新材料凭借技术潜力，成为行业资本新的布局方向。
整体而言，当前第三代半导体行业正从概念孵化、产能扩张阶段，稳步迈入产品验证、商业化落地的关键周期，车规级、算力级高端功率器件及新型超宽禁带材料，将持续成为行业发展与资本关注的核心方向。
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