就是要较这几纳米的劲儿，台积电联合ARM加速10nm工艺开发进程

小编语：前不久在上海举办的一次有关半导体工艺技术的高峰论坛上，美国商业战略公司CEO Handel Jones就提出，台积电投资20nm FinFET工艺是重大失误，要挽回局面只有加快10nm工艺开发进程，一语成谶，另一边厢，英特尔已经在大谈特谈7nm工艺，也有业内人士预计，28nm将是生命周期最长的一种半导体工艺，且要占据市场主流一段时间呢，这样看来，这场在台积电和英特尔之间的工艺制程的疯狂竞赛有点要失控的赶脚……

最近台积电与ARM公司联合宣布，基于他们在20nm和16nm工艺上成功的合作经验，未来双方将以10nm FinFET工艺合作打造ARMv8-A架构的64位ARM处理器，预计最快可在2015年第四季度开始就可以为客户提供基于10nm FinFET技术的64位ARM处理器的设计方案。

台积电与ARM公司已经开展多年合作，他们早前在20nm和16nm工艺上就已经有相当丰富的合作经验，双方确信未来10nm FinFET工艺将为ARM处理器行业带来更加的效能和功耗优势。早前台积电与ARM已经完成16nm FinFET工艺下的64位big.LITTLE架构ARM处理器的生产验证，华为海思也成为了台积电16nm FinFET工艺的首个客户。

目前台积电和ARM公司正在就10nm FinFET工艺展开紧密合作，双方对此次合作都充满信心，都希望合作成果可以为客户提供先进的制程工艺，同时为客户产品的开发加速。