2017半导体“十亿美元资本支出俱乐部”将有15家公司，中芯国际排第六

根据市场调研机构 IC Insights 最新数据，2017 年将是全球半导体资本支出大年，共有 15 家半导体公司进入“十亿美元俱乐部”，即 2017 年资本支出计划达到或超过 10 亿美元。十亿美元俱乐部比 2016 年增加 4 家，而 2013 年时仅有 8 家。

时隔五年之后，英飞凌有望再次进入十亿美元俱乐部，而瑞萨也是十多年来首次资本支出达到 10 亿美元线，看好汽车半导体从而加大投资是这两家进入资本支出排行榜前列的主要原因。南亚科技与意法半导体也在时隔数年之后重入榜单。

IC Insights 表示，由于近年来中国大陆大力扩充晶圆制造产能，所以预计未来几年，将有更多中国大陆半导体公司进入“资本支出大公司”榜单。

如图所示，2017 年资本支出前十五大公司中包含 4 家纯晶圆代工厂，15 家支出总和预计为 628 亿美元，占 2017 年全球半导资本支出总额比例为 83%，为 11 年以来最高比例。

英特尔、三星、格芯（GlobalFoundries）和海力士（SK Hynix）四家资本支出计划增长最多。相比 2016 年，三星预计增加 32 亿美元支出，英特尔预计增加 23.75 亿美元支出，格芯预计增加 8.65 亿美元，海力士预计增加 8.12 亿美元，四家公司支出增加值合计为 72.52 亿美元。2017 年全行业资本支出计划比 2016 年增加 80.21 亿美元，三星、英特尔、格芯和海力士四家资本支出增加值合计占了 90%。

产品类别中，DRAM/SRAM 资本支出同比增长 31%，增长率居首。2016 年第三季度开始的 DRAM 价格疯涨，让 DRAM 制造商再一次步入增加资本支出阶段。

2016 年投资于闪存的资本支出为 146 亿美元，远高于 DRAM 产品资本支出（85 亿美元）。IC Insights 估计，2016 年和 2017 年投入到闪存的资本支出主要用于 3D NAND 闪存工艺技术，而不再投入到平面闪存工艺。2017 年闪存资本支出增加主要来自于三星，三星将扩大其在韩国平泽市（Pyeongtaek）超大新晶圆厂的 3D NAND 产能。

台积电在强资本支出策略下缩小了和英特尔工艺差距

（图片源于 IDF2011 英特尔演讲）

短评：半导体制造是重资本支出行业，资本支出能力不足的公司，已经逐渐脱离先进工艺竞争者行列。与非网分析师王树一注意到，过去 11 年中，有 9 年三星资本支出都排名榜首，英特尔只有两年排名第一。虽然存储器工艺与逻辑工艺有区别，但从三星半导体营收来看，强资本支出策略对维持三星存储器优势居功至伟。同样，台积电自 2009 年开始进入资本支出榜前三名，这也是台积电与其他纯代工厂技术代差拉大的开始。

台积电强资本支出策略使其能够在合适的时间点切换工艺

在半导体制造领域，缺乏足够的资本支出，就不可能跟上工艺演进节奏。