GaN Systems HD半桥双极驱动开关评估板在贸泽开售

提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起开始分销GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板。这种紧凑的氮化镓 (GaN) 增强模式 (e-mode) 半桥评估板性能优异，同时减少了组件总数，节省了宝贵的电路板空间。

贸泽电子分销的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有两个HEY1011-L12C GaN FET驱动器和两个半桥配置的650 V、60 A GaN增强模式晶体管。HEY1011是一款隔离式栅极驱动器，专为驱动具有快速传播延迟和高峰值拉/灌能力的GaN FET进行了优化，适用于需要隔离、电平移位或接地隔离以实现抗噪性的高频应用。由于HEY1011驱动器不需要二次侧电源或自举组件，因此释放了宝贵的板空间，使设计更具成本效益。

为了帮助缓解栅漏电容电流的影响，GS-EVB-HB-0650603B-HD采用了双极栅驱动装置。该板可以执行双脉冲测试或将半桥连接到现有LC电源段。双脉冲测试可用于安全地评估硬开关条件下电源开关的特性。

GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板适合用于开发大功率无线充电器、工业逆变器、电机驱动/VFD、数据中心、住宅储能系统以及其他电力电子应用。

器件型号	数量	器件厂商	器件描述	ECAD模型	参考价格	更多信息
DF1BZ-14DP-2.5DS	1	Hirose Electric Co Ltd	Board Connector, 14 Contact(s), 2 Row(s), Male, Right Angle, 0.098 inch Pitch, Solder Terminal, Locking, White Insulator, ROHS COMPLIANT		$1.15	查看
SPA11N80C3XKSA1	1	Infineon Technologies AG	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN		$3.77	查看
BAT54C-7-F	1	Diodes Incorporated	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3	ECAD模型下载ECAD模型	$0.16	查看

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DF1BZ-14DP-2.5DS

Hirose Electric Co Ltd

Board Connector, 14 Contact(s), 2 Row(s), Male, Right Angle, 0.098 inch Pitch, Solder Terminal, Locking, White Insulator, ROHS COMPLIANT

$1.15

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SPA11N80C3XKSA1

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN

$3.77

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BAT54C-7-F

Diodes Incorporated

Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3