ASR1P5N1200DCS12-A碳化硅模块1200V1000A半桥DCM

08/08 10:59 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASR1P5N1200DCS12-A碳化硅模块1200V1000A半桥DCM

1.03 MB

DCS12 系列碳化硅（SiC）功率模块

1. 采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃；

2. 功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗；

3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成；

4. 参数： VDS：1200V ID：1000A RDS(on) ：1.3mΩ

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