ASR6N1200ME3碳化硅模块1200V5.6mΩ（封装62mm）

7小时前作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

110

加入交流群

扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

1.04 MB

1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷；

2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；

3. 适用高温、高频应用；

4. 参数范围： VDS：1200V ID：285A RDS(on) ：5.6mΩ

了解更多三代半碳化硅MOS与SiC模块信息，请关注微信公众号

在线预览

原创声明：本文为碳化硅MOS+模块+应用（芯片）原创内容，未经书面授权，不得以任何方式加以使用。转载合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

方案定制

方案开发定制化，2000+方案商即时响应！