芯耀
3.4万
从“能用”到“好用”，再到“规模化替代”——国产半导体设备在28nm及更成熟制程上的这场攻坚战，2026年开年交出了一份不错的成绩单。光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备、量检测设备、清洗设备……各条战线都有实质性突破。
下面按设备类型拆开看，哪些已经跑通、哪些正在验证、哪些还在攻关。
1. 光刻机：28nm浸没式DUV交付测试，国产化率超85%
这是最核心、最难啃的骨头，也是2026年开年最大的惊喜。
上海微电子的SSA800系列28nm浸没式DUV光刻机，已在2026年初正式交付中芯国际进行上机测试。最新消息是：测试良率稳定超过90%，国产化率超85%，核心参数对标ASML主流产品。
这意味着什么？28nm成熟制程的量产光刻环节，国产设备已经补上了最关键的一块拼图。更关键的是，这台设备还能通过多重曝光实现7nm等效制程，为后续先进制程的探索留了余地。
按照计划，2026年三季度将完成量产验证。如果顺利，28nm光刻机的国产替代将在年内真正落地。
2. 刻蚀设备：中微5nm进台积电验证，北方华创氧化炉占中芯60%+
刻蚀是国产设备走得最靠前的领域之一。
中微公司的5nm CCP刻蚀机已达到国际水平，并进入台积电验证流程。这不仅是先进制程的突破，也意味着国产设备开始反向输出到全球顶尖晶圆厂。
在存储芯片领域，中微的刻蚀设备在3D NAND高深宽比刻蚀环节表现稳定，成为2026年存储扩产的核心标的之一。
北方华创的氧化炉在中芯国际28nm产线的占比已超过60%，是成熟制程设备国产化的标杆案例。北方华创的策略是平台化布局，工艺覆盖度和产品覆盖度已完全对标美国龙头。
3. 薄膜沉积设备：微导纳米28nm ALD跑通，拓荆PECVD占长江存储30%
微导纳米是国内ALD（原子层沉积）设备的先行者。2020年，其自研量产的ALD设备就应用于28nm节点集成电路前道生产线，打破国际垄断，关键指标达国际先进水平。
2025年前三季度，微导纳米半导体业务新增订单实现接近翻倍的增长，产品已进入国内规模最大的几家逻辑芯片与存储芯片厂商产线，持续获得批量重复订单。
拓荆科技的PECVD设备在长江存储3D NAND产线的装机量占比已达30%，ALD设备突破14nm工艺。在先进封装领域，拓荆的晶圆键合设备也已适配HBM量产需求。
4. 量检测设备：中科飞测、睿励、精测多线突破，但国产化率仍低
量检测设备是另一个卡脖子的环节，长期被科磊半导体一家独大垄断全球超50%份额。但2026年，国产厂商正在撕开口子。
中科飞测的无图形晶圆缺陷检测设备和三维形貌量测设备已适用于2Xnm及以上制程，套刻精度量测设备也有28nm以下产品在客户产线验证中。其3D AOI设备已通过HBM封装验证。
睿励科学仪器的光学膜厚测量设备已应用于28nm及以上生产线，并正在进行14nm工艺验证；光学缺陷检测设备最高检测精度达100nm，已获多台订单。
精测电子已打入前道检测供应链，明场检测、OCD、电子束缺陷复查在国内处于领先地位。
不过整体来看，量检测设备国产化率仍不足10%，是国产设备中亟待补课的环节。
5. 清洗设备：普达特科技12英寸高温硫酸清洗机批量交付
清洗设备是国产化率提升较快的领域之一。
普达特科技2026年2月公告，已成功向客户交付一台12英寸高温硫酸清洗设备，该设备广泛应用于28/14/7nm等先进制程的关键清洗工艺，可覆盖至190℃高温，技术性能对标海外设备。
同时，公司近期已向4家客户交付5台单片晶圆清洗设备，其中两台为现有客户的重复订单。重复订单是设备稳定性和客户认可度的最好证明。
盛美上海也是清洗设备领域的主力军，订单饱满，签单进展良好。
6. 离子注入设备：中束流突破30%国产化率，高能机全链路自主
离子注入设备是成熟制程产线的重要环节，国产化同样有实质性突破。
中束流离子注入设备国产化率已突破30%，能量范围扩展至200keV，每小时晶圆处理量达150片（较早期版本提升40%），接近国际同类产品水平。
高能离子注入机方面，POWER-750H采用串列加速器设计，实现750keV高能量输出，束流传输效率达92%，能量稳定性±0.3%，核心零部件国产化率超85%。
7. 关键材料：光掩膜版28nm设备到位，光刻胶28nm量产
设备之外，关键材料的国产化也在同步推进。
冠石科技宁波半导体光掩膜版项目28nm产线相关设备已于近日全部到位，建成后具备年产12450片半导体光掩膜版的产能。目前中国半导体掩膜版国产化率约10%，中高端仅3%，冠石的28nm产能释放将填补国内供给缺口。
光刻胶方面，南大光电28nm ArF光刻胶已量产，彤程新材KrF光刻胶市占率达40%。
8. 整体国产化率：28nm设备已超35%，2026年目标45%
综合来看，28nm制程设备的整体国产化率已超过35%，刻蚀、薄膜沉积等环节突破40%。2026年预计国产化率将加速提升至45-50%以上，成熟制程基本实现工艺覆盖。
驱动因素也很明确：AI算力需求激增拉动晶圆厂扩产，大基金三期重点投向设备领域，美国对日荷设备出口管制倒逼晶圆厂加速导入国产设备。
9. 一张表看懂：国产设备28nm进展（2026年2月）
| 设备类型 | 代表性厂商 | 关键进展 | 28nm覆盖度 |
|---|---|---|---|
| 光刻机 | 上海微电子 | SSA800系列交付中芯测试，良率>90% | 覆盖，三季度量产验证 |
| 刻蚀设备 | 中微公司、北方华创 | 5nm进台积电验证，氧化炉占中芯28nm产线60%+ | 已覆盖 |
| 薄膜沉积 | 微导纳米、拓荆科技 | 28nm ALD量产，PECVD占长江存储30% | 已覆盖 |
| 量检测 | 中科飞测、睿励、精测 | 28nm以下产品验证中，整体国产化率<10% | 局部覆盖，待突破 |
| 清洗设备 | 普达特科技、盛美上海 | 12英寸高温硫酸清洗机批量交付 | 已覆盖 |
| 离子注入 | 中束流、高能机 | 中束流国产化率30%，高能机全链路自主 | 已覆盖 |
| 光掩膜版 | 冠石科技 | 28nm产线设备到位，年产能12450片 | 关键材料突破 |
| 光刻胶 | 南大光电、彤程新材 | 28nm ArF光刻胶量产，KrF市占率40% | 关键材料突破 |
国产半导体设备在28nm这条线上，2026年的状态可以总结为：光刻机补上最后一块拼图，刻蚀/薄膜沉积已跑通，量检测仍在追赶，关键材料同步突破。
如果想知道某条具体产线的设备采购进度、某家厂商的设备在晶圆厂的真实表现，或者需要对比不同设备的参数和成熟度，与非网的产业图谱栏目和研究报告栏目一直在做持续跟踪。图谱里把半导体设备产业链按光刻、刻蚀、薄膜、量检测、清洗拆得很细，各家厂商的验证状态、典型客户、订单进展都有收录，比自己零散搜资料高效不少。
