英飞凌

• 作为汽车行业首款8发8收成像雷达MMIC，英飞凌RASIC CTRX8188F实现量产

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）已开始量产RASIC™ CTRX8188F。这款新一代8发8收（8Tx8Rx）雷达收发器使英飞凌在快速扩张的汽车4D与高清成像雷达市场中处于领先地位。该产品已完成量产准备，搭配AURIX™ TC45可支持边缘处理，是市场上首款支持中央式架构雷达的单片微波集成电路（MMIC）。中央式架构雷达

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  18小时前

  英飞凌 射频

  
• 英飞凌2026战略重磅落地：重构业务，双线布局AI赛道

  英飞凌宣布2026年战略调整，将四大事业部整合为三大板块，聚焦汽车电子、电源系统和终端智能。公司推出“从电网到核心”的全链路电源管理方案，旨在降低数据中心供电能耗。同时，英飞凌拓展至飞行汽车和机器人等领域，采用复合材料策略应对市场需求变化，并加速本土化进程。

  夏珍

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  07/10 17:41

  与非观察 SiC

  
• 英飞凌推出AIROC UWB TSL100，通过单芯片提供精确定位与智能感知检测

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出公司首代支持精确定位与智能感知检测的超宽带（UWB）产品系列。作为英飞凌AIROC™系列产品之一，TSL100采用全新架构，旨在降低功耗和提高安全性。该产品系列为英飞凌在UWB平台上的扩展拉开了序幕，将支持IEEE 802.15.4ab等面向未来的标准，并符合CCC、Aliro和FiR

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  07/09 13:55

  物联网 英飞凌

  
• 美国国际贸易委员会（US ITC）最终裁定确认维持，禁止英诺赛科侵权的氮化镓产品进入美国市场

  随着总统审查期结束，美国国际贸易委员会（US ITC）全体委员会于2026年5月7日作出的最终裁定获确认维持并正式生效。该裁定确认英诺赛科侵犯了英飞凌一项涉及氮化镓（GaN）的技术专利，因此对英诺赛科相关侵权产品实施进口及销售禁令。 英飞凌科技高级副总裁、氮化镓系统业务线负责人 Johannes Schoiswohl 表示：“此次裁决再次彰显了英飞凌在知识产权体系方面的坚实基础，也进一步体现了我们

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  07/07 16:24

  英飞凌 氮化镓
• 英飞凌推出基于‌AWS的云端虚拟平台‌，助力汽车微控制器评估加速

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正与亚马逊云科技（AWS）展开合作，通过加快微控制器（MCU）评估进程，从而缩短汽车系统开发周期。作为此次合作的一部分，英飞凌推出了一款由AWS提供支持的云端平台，用于对英飞凌汽车微控制器进行虚拟评估。该新平台摆脱了对物理硬件的依赖，有助于将评估周期从数周缩短至数分钟，并显著降低单个用户的

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  07/06 10:00

  微控制器 英飞凌

  
• 英飞凌携系统级创新成果亮相2026慕尼黑上海电子展

  7月1日至3日，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技携微控制器、功率半导体、传感器等系列创新产品亮相2026慕尼黑上海电子展，呈现了其在AI数据中心基础设施、机器人、软件定义汽车和边缘AI设备等关键应用领域的持续创新布局，进一步彰显了英飞凌以半导体技术驱动产业低碳化、数字化转型的领先地位。 2026 慕尼黑上海电子展英飞凌展台 以系统级创新赋能新兴应用 本次展会，英飞凌以“机器人”、“

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  07/06 07:14

  物联网 英飞凌

  
• 英飞凌在德国德累斯顿启用全球最大功率半导体与模拟/混合信号芯片晶圆厂

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布，正式启用其位于德国德累斯顿的智能功率晶圆厂（Smart Power Fab，以下同），较原计划提前数月投产。该项目总投资达50亿欧元，是英飞凌历史上规模最大的单笔投资，也是德国近年来最大的投资项目之一，将新增1000个直接就业岗位。随着新工厂的投产，英飞凌在德累斯顿基地的产能将实现翻番，并形成全球最大的智能功率半导体和模

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  07/03 07:10

  半导体 英飞凌

  
• 英飞凌宣布完成对艾迈斯欧司朗非光学模拟/混合信号传感器业务的收购

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布，已完成对艾迈斯欧司朗集团（SIX：AMS）非光学模拟/混合信号传感器业务组合的收购。该交易于2026年2月宣布，目前已获得所有必要的监管批准。通过此次收购，英飞凌将依托双方高度互补的产品组合，进一步巩固其在工业和汽车传感器领域的领先地位，并拓展其在医疗健康应用领域的产品布局。 英飞凌科技终端智能事业部（Edge Syst

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  07/02 11:29

  英飞凌 温度传感器

  
• 英飞凌2026媒体日： 创新空间正式启用，以创新赋能产业可持续发展

  英飞凌科技举办以“从创新到价值”为主题的2026年度媒体日活动。英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、消费计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟携核心管理层团队，系统阐述企业创新布局及本土化成果，并重磅宣布英飞凌创新空间在上海正式启用，依托本土创新体系，深化在华全产业链布局，践行可持续发展战略。 2026英飞凌媒体日 市场表现：多赛道稳居行业首位 2025财年，英飞凌全球业务保持稳健增长，其中大中华

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  06/30 20:43

  英飞凌 数据中心

  
• 特斯拉车身控制器拆解：元器件密密麻麻，看呆了

  与传统汽车按功能分散布置多个控制单元不同，特斯拉采用了按物理位置划分的前、左、右车身域控制器架构，这种做法的直接收益是缩减线束长度与复杂度、降低整车装配难度与成本，同时为后续的功能迭代预留了空间。本期内容与非网将拆解一个特斯拉的前车身控制器。 拆解 拆解后内部就单一一块主板，但是PCB板上元器件密密麻麻，大多数都是MOSFET，电路布局相当复杂。 但是与之反差的是PCB板背面，居然没有放置任何元器

  曹顺程

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  06/29 08:15

  拆解 MCU

  
• 全面解析SiC MOSFET雪崩耐量

  本文介绍了沟槽栅SiC MOSFET的动态雪崩测试原理及其两种主要测试类型——单脉冲雪崩耐量（EAS）和重复雪崩耐量（EAR）。通过实验展示了单脉冲雪崩测试的步骤和失效机制，以及重复雪崩测试对器件参数稳定性的评估。文章强调了不同测试条件下器件的雪崩能力表现，并对比了单脉冲和重复雪崩耐量的区别。最后，指出合理选择器件并配合电路设计对于提高系统可靠性的重要性。 关键词：SiC MOSFET，动态雪崩测试，单脉冲雪崩耐量，重复雪崩耐量，可靠性测试

  英飞凌

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  06/25 13:14

  SiC MOSFET 雪崩二极管
• 英飞凌赢得对英诺赛科的专利侵权诉讼

  德国慕尼黑地方法院（Landgericht München I）于当地时间6月18日就英飞凌科技与英诺赛科之间涉及氮化镓（GaN）技术的两项进一步专利侵权案件作出判决（分别基于一项专利及一项实用新型），均裁定英飞凌胜诉。 此案涉及中国公司英诺赛科未经授权使用英飞凌已取得专利的氮化镓技术。根据本次判决，法院禁止英诺赛科在德国境内制造、销售及推广更多侵权产品。此外，法院还裁定英诺赛科需向英飞凌支付损害

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  06/22 07:06

  英飞凌 知识产权
• 英飞凌深度解析：CoolSiC™ MOSFET 短路能力与失效模式

  碳化硅（SiC）MOSFET的短路特性被广泛误解为“天生扛不住短路”。实际上，SiC MOSFET可以通过特殊单元结构设计来提高其短路耐受能力，甚至接近传统IGBT的水平。然而，为了实现超低导通电阻，SiC MOSFET通常需要牺牲一定的短路能力。 SiC MOSFET在短路过程中经历三个阶段：电流迅速上升至峰值；结温升高导致电流下降；最终关闭器件。常见的失效模式包括热失控引发的封装爆炸和顶层金属熔化导致的栅源短路。 英飞凌通过优化器件元胞结构和严格的测试，实现了CoolSiC™ MOSFET在工业与车载等高可靠场景下的稳定短路能力，标称短路耐受时间为2~3微秒。这表明SiC MOSFET的短路特性是可以管理和控制的，关键是合理选择和使用器件，而不是盲目追求长时短路耐受。

  英飞凌

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  06/18 11:06

  SiC MOSFET
• 英飞凌推出面向电动汽车逆变器的全新EiceDRIVER栅极驱动

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了专为纯电动汽车（BEV）牵引逆变器设计的全新增强型隔离式栅极驱动IC产品系列：EiceDRIVER™ 1EDI3040AS和1EDI3041AS。该系列同时支持IGBT和碳化硅（SiC）MOSFET，相比市面上常见的解决方案，可让特定功率级释放出更多可用性能，并将丰富的功能集成于单个栅极驱动IC之中。这有助于整车厂（OE

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  06/17 10:16

  英飞凌 IGBT

  
• 英飞凌扩展750V CoolSiC™产品组合，推出顶部散热型H-DPAK半桥器件

  汽车和工业应用中的功率转换架构正在快速演进，对开关拓扑、热管理和系统集成提出了新的要求。为满足这些要求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出顶部散热封装系列新产品H-DPAK，搭载采用750V CoolSiC™ G2技术的集成半桥（HB）器件。750V CoolSiC™ G2可提供现代电网和能源系统所需的可靠性裕量。H-

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  06/16 10:00

  物联网 英飞凌

  
• 英飞凌推出业界首款基于CoolSiC G2技术的双向开关碳化硅

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出基于成熟可靠750V CoolSiC™ G2技术平台打造的碳化硅（SiC）双向开关（BDS）。该产品采用垂直集成双芯片共漏极设计，采用顶部散热Q-DPAK封装，将两个功率开关整合到同一器件中，既简化了系统设计，也实现了传统拓扑革新。750V CoolSiC™ BDS可提供现代电网和能源

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  06/15 11:46

  物联网 碳化硅

  
• 深入解读SiC MOSFET栅极开关不稳定性(GSI)

  碳化硅（SiC）MOSFET面临栅极开关不稳定性（GSI）挑战，英飞凌通过深入研究和技术创新，有效控制GSI，确保CoolSiC™ MOSFET在高频开关场景下的长期稳定性和可靠性。GSI的核心表现是阈值电压漂移，远超DC BTI测试结果，严重影响实际应用中的参数稳定性。英飞凌通过优化工艺和结构，显著降低了GSI引起的导通电阻增加和损耗上升，确保器件在各种应用场景下的高效运行。

  英飞凌

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  06/13 09:25

  SiC MOSFET

  
• 英飞凌推出高性能TMR技术，扩展XENSIV磁传感器产品组合

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在其成熟的XENSIV™磁传感器产品组合基础上，推出了隧道磁阻（TMR）传感器产品系列。该系统作为对公司既有霍尔（Hall）、巨磁阻（GMR）和各向异性磁阻（AMR）传感方案的补充，进一步拓展了磁传感领域独特能力。其具备出色的灵敏度和高信噪比（SNR），搭配小体积磁体也可准确获取参数、实现

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  06/12 14:08

  英飞凌 元器件

  
• 英飞凌推出OptiMOS 8 100V功率MOSFET，适用于电机驱动与电池保护应用

  绿色出行、机器人、人工智能等大趋势，对功率系统的负载电流可靠处理能力提出了愈发严苛的要求。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET技术，针对电机控制和电池保护等以RDS(on)为核心指标的应用进行了专属优化。 英飞凌推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFE

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  06/11 14:02

  英飞凌 电机控制

  
• 英飞凌推出CoolSET SiP系列新品，扩展输出功率范围，助力满足欧盟能效法规

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出三款CoolSET™ 系统级封装（SiP）新型号：ICE188LM、ICE189LM 和 ICE180LM，进一步扩展其支持的输出功率范围，助力白色家电制造商满足日益严苛的欧盟能效及待机功耗法规要求。CoolSET™ SiP将高压MOSFET、一次侧PWM控制器、二次侧同步整流（SR）

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  06/11 10:04

  物联网 英飞凌

  

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