英飞凌

• 英飞凌推出ENDOPACK芯片嵌入平台，助力可扩展牵引逆变器开发

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出面向先进芯片嵌入解决方案的新品牌ENDOPACK™，涵盖广泛的电压等级、外形尺寸和应用领域。基于在低压芯片嵌入生产方面积累的多年成功经验，英飞凌将该技术扩展至高压电力电子领域。ENDOPACK™ Cell是业界首款通过车规认证、专为PCB集成设计的高压芯片嵌入解决方案。该解决方案将1200 V Automotive Gen

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  13小时前

  AI 半导体

  
• 英飞凌推出面向汽车配电应用的LinearFET技术

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新的MOSFET技术——LinearFET，助力汽车制造商简化面向电动汽车与软件定义汽车的下一代固态配电系统设计。通过在器件层面直接集成均流、浪涌电流控制和短路鲁棒性等解决方案，LinearFET消除了阻碍固态配电架构在现代车辆中更大规模应用的关键技术障碍。 LinearFET支持汽车行业从传统的保险丝盒架构向未来电动汽

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  18小时前

  电动汽车 英飞凌

  
• 英飞凌发布2026财年第四季度及全年营运成果：2026财年以创纪录季度业绩收官

  录季度业绩收官；受数据中心、电力基础设施和软件定义汽车业务驱动，预计2027财年营收增长超20%，利润率提升5个百分点 · 2026财年第四季度：营收47.06亿欧元，利润11.19亿欧元，利润率23.8%。 · 2026财年：营收163.53亿欧元，同比增长12%；利润32.23亿欧元，利润率19.7%，调整后每股收益为1.73欧元，自由现金流9.93亿欧元，调整后的自由现金流为19.25亿欧元

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  21小时前

  机器人 英飞凌

  
• 英飞凌推出全球首款300 mm碳化硅晶圆，实现创新里程碑

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在奥地利菲拉赫工厂成功将300 mm碳化硅晶圆加工成功能性功率器件。英飞凌是全球首家在大规模半导体晶圆厂环境中实现这一创新里程碑的企业。该成果利用现有硅制造设备得以实现。此次率先成功制造出功能性功率器件，体现了英飞凌对于为客户提供全面高性能碳化硅（SiC）功率半导体产品组合，并确保长期稳定

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  11/10 12:13

  碳化硅 英飞凌

  
• 英飞凌推出高压电池管理系统参考设计，助力在边缘端实现高级电池建模与系统集成能力

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出一款高压电池管理系统（BMS）参考设计，可支持计算密集型电池模型直接在电池管理单元（BMU）上运行。该解决方案集成了配备并行处理单元（PPU）的AURIX™ TC4x微控制器，为边缘端的高级电池管理功能提供了所需计算性能。这套参考设计将BMU与电池包监控、电池芯监控以及一套全面的软件包

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  11/09 10:24

  英飞凌 微控制器

  
• 英飞凌推出RISC-V MCU RC1挑战ARM和NXP

  英飞凌于2026年11月发布RC1新一代MCU，面向软件定义汽车和物理AI，主打实时计算、异构控制与Zonal架构需求。文章对比NXP S32N ARM MPU路线，称中央计算对算力、网络、可靠性与成本提出挑战；英飞凌主张RISC-V、去中心化配电和高实时控制，挑战ARM体系并拓展机器人市场。

  佐思产研

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  11/09 08:47

  MCU RISC-V

  
• 英飞凌升级为开源Zephyr项目白金会员

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）已成为Zephyr®项目白金会员。Zephyr®项目是由Linux基金会主办的、由社区驱动的开源实时操作系统（RTOS）生态系统。本次会员级别升级彰显了英飞凌致力于在其微控制器（MCU）、无线产品组合及开发人员工作流中完善Zephyr®支持能力，助力工业、消费电子和汽车市场中的互联设备加快

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  11/06 10:14

  英飞凌 Linux

  
• 2026年RISC-V迈向高性能与智算的关键转折

  2026年RISC-V正从碎片化物联网应用转向高性能商用落地。RVA23规范完善推动服务器与通用计算，向量扩展成强制项，SoC出货量预期2031年达360亿颗。本土企业加速高性能内核迭代，数据中心以AI推理、协处理、芯片内控制实现异构共存。智能驾驶与具身智能成新增量，全产业链协同与IP授权向版税模式转变，助力RISC-V规模化发展。

  夏珍

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  11/05 15:20

  与非观察 英飞凌

  
• 英飞凌赋能高通Snapdragon Ride平台，助力自动驾驶与数字座舱车载计算

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布与高通公司开展合作，加快软件定义汽车（SDV）中央计算平台的开发与部署。双方已签署技术合作协议，英飞凌将为高通公司面向高性能计算与车载AI的Snapdragon Ride™参考平台提供基于微控制器的设计方案（即“子系统”）。此次合作将进一步扩展Snapdragon Ride™生态，

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  11/05 11:16

  AI 英飞凌

  
• SiC MOSFET数据手册解析（二）——额定电压到底该怎么看？

  本文解析SiC MOSFET额定电压VDSS：它不等同实际击穿电压。高压下会发生雪崩击穿，低温时击穿电压更低。器件标注额定电压有安全余量，系统需降额。开关杂散电感会导致DS过压尖峰并引发动态雪崩，选型应结合EAS/EAR评估雪崩能力。

  英飞凌

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  11/05 09:04

  SiC MOSFET 额定电压
• 英飞凌推出全新AURIX RC1，重新定义面向软件定义汽车与物理AI的实时计算与控制

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正通过一项战略举措，进一步扩展面向软件定义汽车（SDV）、软件定义一切（SDX）以及物理AI（Physical AI）应用领域的产品组合，巩固其在全球微控制器（MCU）市场的领先地位。公司为其行业领先的AURIX™系列再添一款全新MCU平台，为汽车及其他场景提供实时控制。AURIX™ RC

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  11/05 07:24

  MCU 英飞凌

  
• 英飞凌五族功率器件地图：48V人形机器人关节 & 800V AI机柜电源选型手册（附瑞萨对照）

  本文梳理英飞凌CoolGaN、CoolSiC、OptiMOS、EiceDRIVER、AURIX五族，围绕机器人48V关节与AI 800V HVDC链路给出选型：48V关节用iGaN参考板/OptiMOS 8/瑞萨低压GaN；800V机柜高压用SiC，中间用GaN，末端用OptiMOS，热插拔用SiC JFET；控制关节用PSOC C3，车规用AURIX。

  元器件寻源笔记

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  11/04 10:21

  SiC GaN

  
• 英飞凌扩展PSOC Control C3产品系列，推出具备高级安全功能的PSC3M/P6，赋能多电机控制与数字电源系统

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布推出PSOC™ Control C3 PSC3M/P6微控制器（MCU），扩展PSOC™ Control产品系列。这款新型多功能、高性价比微控制器，将电机与功率控制的实时性能和高级安全功能融为一体。该产品以单颗MCU高效驱动最多四个有感或无感无刷直流电机，适配各类电源拓扑与安全要求

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  11/02 10:06

  MCU 英飞凌

  
• 英飞凌推出XDP8HD40S-1高压热插拔控制器

  扩展面向800 VDC AI服务器架构“从电网到核心（from grid to core）”的功率半导体产品组合 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出高压热插拔控制器XDP8HD40S-1，专为在±400 V和800 VDC环境下运行的下一代AI服务器电源架构中的数字电源路径保护和监测而设计。随着AI集群供电从48 V向

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  10/30 09:54

  英飞凌 MOSFET

  
• 从MOSFET到GaN，无人机功率芯片的下一场竞争

  无人机想飞得更久，除了升级电池，还能从哪里挖掘效率？   摘要：随着无人机从消费航拍进入农业植保、工业巡检和重载物流，动力系统对效率、功率密度和可靠性的要求不断提高。硅MOSFET凭借成熟工艺和成本优势，仍是无人机电调的重要选择，GaN则通过低损耗和高集成度拓展新的应用空间。与此同时，电池管理、栅极驱动和机载电源芯片的重要性日益凸显。面对这一变化，全球功率半导体厂商正在加快系统级方案布局

  李坚

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  10/30 08:02

  无人机 低空经济

  
• 英飞凌扩展USB 20Gbps生态系统，推出支持5米线缆与36W供电的PCIe参考设计

  全球USB半导体解决方案的领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日发布一款全新PCI Express® Gen4 x4扩展卡参考设计，有效解决USB 20Gbps（USB 3.2 Gen 2×2）落地应用的核心难题。该行业首款独立参考设计于2026年斯图加特国际机器视觉展（VISION Stuttgart 2026）首次亮相，集成祥硕科技的ASM4242

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  10/29 13:59

  AI 英飞凌

  
• 总投资超80亿元！全球首座12英寸氮化镓工厂宣布开建

  10月27日，英飞凌宣布总投资11亿欧元，在奥地利Villach建设全球首座12英寸氮化镓大规模量产晶圆厂，预计2027年底投产，获欧盟批准3.19亿欧元国家援助。此举将推动GaN从8英寸向12英寸规模化降本，拓展AI数据中心、快充、车规、光伏等应用，并联手英伟达、Enphase、群光电能、BRC Solar、富特科技、零极创新等伙伴。

  行家说三代半

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  10/29 11:28

  碳化硅 氮化镓
• 英飞凌将在欧洲建设全球首座300毫米氮化镓功率半导体大规模量产基地

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）将在欧洲设立全球首座采用300 mm晶圆制程生产下一代氮化镓（GaN）功率半导体的大规模量产制造工厂。作为该计划的一部分，英飞凌将在2034年前，对奥地利菲拉赫（Villach）基地的既有洁净室设施投资约11亿欧元。通过充分利用现有及升级后的基础设施，英飞凌将能以高效且具成本效益的方式扩大

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  10/29 07:04

  芯片 英飞凌

  
• 如何理解SiC MOSFET额定直流电流与峰值电流 —— SiC MOSFET数据手册解析之IDDC,IDM

  SiC MOSFET额定电流IDDC是基于热阻、导通电阻和最大结温的计算值，并非实测；实际开关工况含开关损耗，可用电流通常远低于IDDC。不同厂家热阻取值不同，IDDC不宜直接横向比较。峰值电流IDM本质上受结温限制，短脉冲电流尖峰若未使结温超限，一般可被容忍。

  英飞凌

  293

  10/28 21:11

  SiC MOSFET 直流电流
• 英飞凌与祥硕科技合作拓展USB 20Gbps生态系统，赋能AI和高带宽应用领域

  全球USB连接领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布与祥硕科技股份有限公司（以下简称“祥硕科技”）达成战略合作，旨在加速USB 20Gbps技术的普及，以满足机器学习相机与物理AI系统日益增长的需求。英飞凌于2025年推出EZ-USB™ FX20控制器，支持通过现有 USB-C 基础设施实现最高 20Gbps 的数据传输速率，从而为带宽密

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  121

  10/27 09:58

  AI 英飞凌

  

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