双箭齐发!国产SiC合围固态变压器
国产碳化硅功率模块和器件的最新进展展示了中国功率半导体行业的快速发展。晶能微电子发布了面向固态变压器应用的自研SiC功率模块R2C,并提出了“AI级SiC模块”的概念。芯联集成则推出了基于自研8英寸碳化硅工艺平台的3300V平面栅SiC MOSFET,专为中压SST定制,并已向核心SST整机厂送样验证。 芯联集成的3300V SiC MOSFET基于8英寸自研高压平面栅技术,优化了RDS(on)×QG,提升了开关损耗性能。这一技术有助于减少SST系统的串联器件数量,降低BOM成本和PCB复杂度,提高系统可靠性。 尽管国产SiC器件在某些方面取得了进展,但仍面临一些挑战,如高压SiC芯片的良率和成本问题,以及驱动保护和磁性器件的配套需求。总体而言,国产SiC功率模块和器件的发展标志着中国功率半导体行业从单点器件替代迈向芯片-模块-系统应用的纵向协同,展现了中国在高壁垒领域的技术创新能力。