固态变压器

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  • SST再添4员“猛将”,腾讯等已合作
    据《2026 AIDC数据中心储能与SiC/GaN技术应用报告》调研数据,当前台达电子、为光能源、伊顿等海内外超25家企业,已正式发布固态变压器产品或完成落地应用。近期,又有4家企业发布SiC固态变压器。 国电南瑞:发布第二代“瑞”系全场景固态变压器(SST)系列产品,与4家企业签约落地。 远景储能:发布AI电力系统,搭载2.5MW固态变压器,与腾讯达成合作。 米格电气:SiC固态变压器正式进入样
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    07/02 16:09
  • 345GWh!10图解读AIDC储能需求情况
    AI智算中心迎来基础设施投资超级周期,储能作为绿电消费考核的物理前提,从备选走向刚需。《2026AIDC储能技术与应用报告》详细解析了AIDC供电架构的演进方向,指出固态变压器(SST)是最优选择,能够满足AI数据中心对高能效与小型化空间的需求。报告还分析了AIDC储能需求的分层,包括绿区源网侧、灰区园区内部和白区机柜末端,并预测2030年全球AIDC储能需求将达到345GWh。
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  • 固态变压器SST核心方案与关键设计要点与未来研究方向
    固态变压器架构与核心设计要点(苏黎世联邦理工学院ETH Zürich) 一、中频电能变换技术 1. 发展历程 1914 年:机械式直流变换器;1923 年:汞弧阀交流变换器;1928 年:直流变压器电路;1968 年:全固态电子变压器。 2. 主流拓扑 (1)双有源桥(DAB) 1989 年提出,依靠原副边电压移相控制实现功率双向传输,特定工况下可实现零电压开通(ZVS)软开关,降低开关损耗。 硅
  • 双箭齐发!国产SiC合围固态变压器
    国产碳化硅功率模块和器件的最新进展展示了中国功率半导体行业的快速发展。晶能微电子发布了面向固态变压器应用的自研SiC功率模块R2C,并提出了“AI级SiC模块”的概念。芯联集成则推出了基于自研8英寸碳化硅工艺平台的3300V平面栅SiC MOSFET,专为中压SST定制,并已向核心SST整机厂送样验证。 芯联集成的3300V SiC MOSFET基于8英寸自研高压平面栅技术,优化了RDS(on)×QG,提升了开关损耗性能。这一技术有助于减少SST系统的串联器件数量,降低BOM成本和PCB复杂度,提高系统可靠性。 尽管国产SiC器件在某些方面取得了进展,但仍面临一些挑战,如高压SiC芯片的良率和成本问题,以及驱动保护和磁性器件的配套需求。总体而言,国产SiC功率模块和器件的发展标志着中国功率半导体行业从单点器件替代迈向芯片-模块-系统应用的纵向协同,展现了中国在高壁垒领域的技术创新能力。
  • 又有7家SiC企业进军固态变压器赛道
    国内碳化硅产业迎来新品发布潮,多家企业推出固态变压器应用解决方案,包括臻驱科技的7MW SST、晶能微的固态变压器SiC模块、芯联集成的3.3kV SiC MOSFET等,加速碳化硅技术在固态变压器中的应用。