芯耀
与非AI
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“RISC-V第一股”上市首日就破发，资本为何低估国产RISC-V？
国产RISC-V真正的考验，才刚刚进入产品、生态与商业回报全面竞争的阶段。 摘要：奕斯伟计算登陆港交所后首日破发，让被称为“RISC-V第一股”的国产芯片企业遭遇市场考验。过去三年，公司营收持续增长，但传统芯片业务承受价格压力，新兴计算业务尚未形成稳定的盈利模式。与此同时，从自研CPU IP、车规MCU到边缘AI SoC，中国RISC-V产业已取得一系列实际进展，国际芯片大厂也在加快 -
从“单点优势”到“系统价值”：锐联特的精密技术“乘法效应”
2026工博会，锐联特携泰克、申泰柯等多品牌首次集团亮相，以“算电协同·精密筑基”展示电、热、芯、联全链精密方案，服务AI算力、半导体等全生命周期，强调工程师服务工程师与本地化创新，提升系统稳定可靠性。 -
2026工业场景芯片产业图谱
随着具身智能、边缘计算与智能制造的飞速发展，工业芯片作为数字化转型的核心基石，正加速向高性能、高集成与智能化演进。 本次《2026工业场景芯片产业图谱》立足于现代工业的实际应用，聚焦灵巧手与机械臂、工业边缘计算与工业网关、工业自动化与工业控制、预测性维护与工业监控四大核心场景，系统性地梳理了产业链中的主流芯片功能与供应商全景。 需要特别说明的是，本图谱的核心芯片统计与架构分析主要以 ARM 内核（ -
长飞先进SiC再进阶：高性能SiC MOS、嵌入式封装、扩散焊模组与国内首座A3级SiC晶圆厂集中披露
SiC竞争正从材料替代转向工艺、封装与系统集成。长飞先进在湾芯展披露：平面/沟槽MOS芯片、DeepXE PCB嵌入式封装、EZ扩散焊模组及A3级晶圆厂进展，平面Rsp达3.2mΩ.cm²，沟槽粗糙度0.15nm；嵌入式模组可输出250kW、体积重量降50%；EZ热阻降18%；晶圆厂CP良率超98%，赋能车规与AI算力。 -
算力瓶颈在"运力"，中国如何补上互连芯片这块短板
10月15日，在无锡举行的“数涌智现·互连未来”众星微品牌及全栈产品发布会上，无锡众星微系统技术有限公司总经理郭二辉登台，对外一次性公布12款已经实现量产的高性能互连芯片与配套核心IP，同时重磅推出PCIe 6.0 Switch、800G多协议AI网卡、多模RAID芯片三款面向下一代算力基础设施的全新产品。 图 / 众星微总经理郭二辉 在这场国产互连芯片的集中亮相背后，是整个AI产业正在直面的深层 -
边缘AI成为爱芯元智业务增长第三极？
近日，爱芯元智在2026年工博会期间发布AX8860大算力边端AI芯片系列。256 TOPS算力、128GB内存、原生FP4支持、性能对标国际头部 GPU 产品，但价格更有优势——这些参数指向一个明确的战略动作：这家以视觉AI芯片起家的公司，正在将边缘AI推向其业务架构中的“第三极”位置。 但理解这一步棋的价值，需要先理解爱芯元智选择了怎样一条与大多数本土AI芯片公司不同的路。 爱芯元智在2026 -
沐曦股份Q3营收环比翻倍，国产GPU竞争进入深水区
10月15日晚间，沐曦股份发布2026年前三季度业绩预告。公司预计前三季度实现营业收入25.41亿元至31.06亿元，同比增幅105.60%-151.29%，结合上半年13.24亿元营收测算，第三季度单季营收可达12.18亿-17.82亿元，中值达15.0亿元，单季营收环比增速将近100%，规模接近甚至超过上半年总和，产品放量特征明显。前三季度，公司归母净利润5.87 亿-7.17亿元，较去年同期 -
无人再提MIPS？
MIPS的过去，从RISC先驱到逐渐淡出主流 讨论全球处理器架构，Arm、x86和RISC-V是最常被提及的名字。相比之下，拥有40多年历史的MIPS已经很少出现在主流计算平台的竞争讨论中。但如果把时间拨回20世纪90年代，MIPS曾是商业RISC处理器最具代表性的技术路线之一。 1984年，斯坦福大学教授John Hennessy参与创立MIPS Computer Systems。此前，他领导的 -
星宸科技三季报，端侧SoC在爆发
10月13日晚，星宸科技公布了2026年前三季度的业绩预告，归母净利润预计15.43亿至16.13亿元，同比增长663%到698%。净利润预增最高近7倍，端侧SoC的账本正在被重新计算。 拆开看更直观。上半年净利润已经做到8.63亿，同比暴涨619%。也就是说，第三季度单季净利润大约在6.8亿到7.5亿之间，比二季度的6.43亿还在往上走。 这不是某个季度突然的爆发。从一季度开始，这家公司就在连续 -
射频电源，国产化进入放量期
射频电源是刻蚀、PECVD、PVD设备的等离子体激发核心，输出功率的稳定度，直接决定晶圆薄膜与刻蚀工艺品质，左右芯片最终良率。长久以来，全球该赛道被MKS、Advanced Energy两大海外厂商寡头把持，2024年国内半导体射频电源国产化率仅约12%，国产产品过去大多停留在样机试制、小批量试样阶段，很难进入设备厂商的正式供应链。 目前，这一局面迎来关键拐点：国产射频电源不再停留于单点技术突破， -
Skyworks与Qorvo合并，谁最受伤？
摘要：2026年10月5日，Skyworks与Qorvo正式完成合并，形成一家企业价值约220亿美元的射频、模拟及混合信号半导体公司。两家企业都曾通过并购扩大技术版图，如今再次走到一起，反映出全球射频前端市场正在发生新的变化。随着智能手机市场趋于成熟、高端模组研发成本持续上升，规模、制造效率和系统集成能力正在成为影响竞争力的重要因素。这场合并将如何改变苹果、高通、博通和村田之间的竞争关系？对于已经 -
依托曙光8000，西交大团队破解可重复使用火箭流体力学难题
在商业航天和可重复使用火箭的研发过程中，多台发动机并联工作时产生的尾焰干扰，一直是一个极具挑战性的工程科学难题。当33台发动机同时点火，高达2700℃的超高速炽热尾焰在近场强烈挤压、反射与交汇，会形成跨越复杂时间与空间尺度的三维结构。这种极端环境所引发的脉动压力，会带来强烈的结构疲劳与剧烈振动，极易导致火箭底部结构或薄壁箭体被晃散架甚至直接烧毁。 过去，这类极端流动研究主要依赖地面物理试验，但传统 -
MCU赛道加速洗牌
过往MCU行业的竞争，尤其在低端消费应用场景下，大多停留在单芯片硬件交付层面，产品同质化问题突出。但伴随下游智能终端应用持续迭代升级，仅靠芯片参数、成本优势，已经难以支撑高端场景落地。 值得关注的是，近半年来，国内外MCU厂商陆续完成多笔并购与股权合作，资本动作不再以收购同品类的研发团队、简单抢占市场份额为目标；同时，国内外厂商基于各自所处的产业阶段，并购选择呈现出显著分化。 MCU厂商收并购，动
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从IMU到LiDAR，无人机为何需要一套“感知底座”？
摘要：低空经济正在把无人机从“飞行的照相机”，变成能够进入仓库、楼宇、农田、火场、城市物流和eVTOL等复杂场景的任务型空中机器人，传感与导航芯片的价值也因此从单点器件升级为场景适应能力。 导语：从射频到“大脑”，无人机还缺一套“感知与导航底座” 在此前两篇关于无人机芯片的文章中，作者已经分别讨论了两条正在被低空经济重塑的芯片价值链： 第一篇《从Qorvo到康希，无人机开始有自己的射频芯片了？》， -
片内闪存+后量子加密，Mach-N2重新定义安全FPGA新标准？
莱迪思推出Lattice Prompt与Mach-N2 FPGA：前者经MCP对接大模型与工具链，辅助FPGA代码迁移和时序收敛；后者集成片内非易失配置、30ms启动、CNSA 2.0后量子加密与PUF，并作为处理器伴侣支撑边缘AI/工业低时延安全控制。 -
算力下沉，国产芯片的下一站：工业边端
AI算力正向工厂、能源、交通等边缘场景下沉，IDC预计2029年全球边缘算力芯片支出达4500亿美元。海光信息发布面向工控的海光1000系列CPU，4核8线程、10W功耗、宽温运行，集成GPU核显与0.5-0.6TOPS算力，原生PCIe4.0/TSN，兼容DDR4/DDR5，支持国密与ECC。该系列以C86兼容x86生态，承诺10年供货，切入智能制造等场景，并以协同开发推动落地。 -
“AI”消失了
当地时间9月29日，特朗普在白宫宴请美国AI产业巨头，近20位企业负责人到场。当天，特朗普签署行政令，正式将联邦政府层面的“人工智能”改名为“超级智能”（Super Intelligence，SI）；此外，特朗普还与六家科技公司的负责人共同签署了一份被称为“道德上有约束力”的AI文件，旨在引导AI产业发展。 听起来像一场品牌改名运动，但它实际上是美国AI监管路线的一次明确站队：不立法、不强制、把安 -
把封装“搬进”硅片，安森美EPP重塑电源系统设计方式
安森美推出嵌入式电源平台EPP，采用12英寸硅晶圆中介层，将功率器件、驱动与控制器集成并以晶圆级互连替代键合线，显著降低寄生电感至约0.5nH，提升散热、绝缘和功率密度3-5倍，适配AI数据中心与电动汽车，兼具高可靠与快速定制。 -
不追3nm，押注特色工艺，IPO在即的粤芯如何扭亏为盈？
摘要：粤芯半导体IPO已经进入最后阶段。与外界熟悉的3nm、5nm先进制程竞争不同，粤芯从成立之初就选择了另一条路线：在12英寸晶圆上做模拟、数模混合、功率器件以及硅光等特色工艺。过去三年，公司营收快速增长，2025年产能利用率已超过96%，却仍没有走出亏损。问题由此出现：如果成熟制程不需要承担最先进节点那样高昂的研发成本，而且产线已经接近满负荷，为什么粤芯仍难盈利？随着四期启动、规划产能向12万 -
重庆万国：硅光器件对SOI硅片的需求分析
9月21日，2026国际RF-SOI论坛在上海举行，重庆万国硅光事业部总监朱继光发表主题演讲，分析硅光SOI晶圆顶硅厚度、BOX厚度与衬底电阻率对器件性能的影响。顶硅厚度影响波导损耗、耦合与工艺窗口，220nm主流、270nm平衡；BOX厚度2μm散热更优，3μm利于大模场端面耦合；高阻衬底显著降低行波电极损耗并提升调制器带宽。他还梳理全球代工平台趋势，介绍重庆万国硅光工艺路线。
