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德州仪器(TI)日前宣布将在犹他州Lehi兴建下一座12吋半导体晶圆製造厂(或晶圆厂)。新厂将座落在公司现有12吋半导体晶圆厂LFAB旁。一旦完工，TI的两座Lehi晶圆厂将合併为一座晶圆厂营运。
德州仪器计画于犹他州 Lehi 兴建下一座 12 吋半导体晶圆厂
TI执行副总裁兼营运长暨下一任总裁兼执行长Haviv Ilan表示，这座新晶圆厂是我们12吋晶圆製造长期规画的一环，旨在建构客户未来几十年所需的产能。决定在Lehi兴建第二座晶圆厂，代表公司对犹他州的承诺，也证明该地才华横溢的团队将为TI未来的另一个重要篇章奠定基础。随著半导体在电子领域如预期地成长，尤其是在工业和汽车领域，以及《晶片与科学法》(CHIPS and Science Act)的通过，现在是进一步投资内部製造产能的最佳时机。
具有里程碑意义的110亿美元投资，也代表著犹他州历史上最庞大的经济投资。Lehi晶圆厂的扩建将创造大约800个TI新职缺，以及数千个间接的就业机会。另外，TI期待强化与犹他州高山学区(Alpine School District)的合作伙伴关系，并将投资900万美元来提升学生未来的机会和成就。
犹他州州长Spencer Cox表示，像德州仪器这样的公司会持续投资于犹他州，是因为此地拥有全球顶尖的商业环境和优秀的人力。TI的新半导体晶圆厂将巩固犹他州未来作为全球半导体製造中心的地位。
Lehi因为具备技能熟练的人才、稳固的基础设施和紧密的社区伙伴网路，是理想的新厂设置地点。新厂预期将于每天生产数千万组类比与嵌入式处理晶片，供应世界各地的电子产品製造商。
新厂房的设计将符合建筑认证的结构效率与永续性的高级评等，也就是能源与环境设计领导认证(LEED)金级认证。其设计计画包括以几乎高于现有Lehi晶圆厂两倍的速度回收水资源。Lehi的先进12吋晶圆设备与製程，亦将进一步减少每晶圆产生的废弃物、水资源与能源消耗。
新厂预计于2023年下半年开始兴建，最早将于2026年投入生产，其成本已包含在TI先前所宣布用于扩大製造产能的资本支出计画中。新厂将进一步强化TI现有12吋晶圆厂产能的规画，其包括DMOS6(Dallas)、RFAB1和RFAB2(均位于德州Richardson)和LFAB(犹他州Lehi)。TI也在德州Sherman建造了四座新的12吋晶圆厂。
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