赛米控丹佛斯推出配备罗姆 1200V IGBT的功率模块

赛米控丹佛斯（总部位于德国纽伦堡）和全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）在开发SiC（碳化硅）功率模块方面，已有十多年的良好合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。

ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左）
赛米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen　（右）

随着全球电动化技术的快速发展，对功率模块的需求已经达到了前所未有的程度，相关产品的市场规模急剧扩大，几乎超出了芯片制造商的产能提升速度。在这样的背景下，罗姆开发出适用于工业设备的1200V IGBT “RGA系列”产品，成为业内先进的IGBT解决方案，从而进一步扩大了对赛米控丹佛斯的裸芯片供应范围。

赛米控丹佛斯计划推出额定电流等级10A～150A的功率模块“MiniSKiiP®”，这款功率模块中配备了罗姆的1200V IGBT “RGA系列”芯片。MiniSKiiP®功率模块采用无铜底板和弹簧连接这两大特色技术，并融合了非常适用于电机驱动市场的RGA系列的优势，从而成为低功率领域的理想解决方案。另外，MiniSKiiP®系列始终采用最新一代的IGBT，而且还通过统一封装高度，确保产品安装的便利性，因而在全球电机驱动市场得以广泛应用。

不仅如此，针对PCB连接采用Press-Fit引脚和焊接方式的应用，赛米控丹佛斯还推出了采用行业标准封装的“SEMITOP® E”系列产品，由于其结构与现有的IGBT模块引脚兼容，因此也可使用罗姆的1200V IGBT“RGA系列”。此外，“SEMITOP®”系列中预计还会新增将三相逆变电路集成于一个模块的六单元结构产品，以及整流器-逆变器-制动器复合电路结构产品。

罗姆集团 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 表示：“此次，赛米控丹佛斯采用的RGA系列产品，其最高结温（Tj，max）高达175℃，是罗姆新设计的弱穿通结构的沟槽栅IGBT。该系列产品在导通、开关和热特性方面，均针对最新的中低功率工业驱动应用进行了优化。另外，在电机驱动应用中，当产品承受过负载时，与业内现有的IGBT相比，其过电流承受能力具有显著优势。该系列产品还与业内的常规产品兼容，替换安装非常容易。”

赛米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen 表示：“近年来，电力电子行业已经逐渐解决了供应问题，并且在不断吸取之前的相关教训。显而易见，半导体芯片和模块制造的多元化是实现功率模块真正意义上的‘多源供应’的前提。”

赛米控丹佛斯 常务董事 工业应用领域分管副总裁 Peter Sontheimer 表示：“在1200V IGBT产品上，我们找到了值得信赖的制造商推出的IGBT产品。罗姆的1200V IGBT RGA系列产品可以替换业内现有的IGBT，只需对栅极电阻稍作调整，就能实现高度类似的目标工作。”