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作为第三代半导体的翘楚，氮化镓早已是企业跑马圈地的重点赛道。而在近期，这一赛场风云不断，砥砺前行者有之，中途撤场者亦有之。
出售/倒闭事件增多
3月13日，美国垂直GaN器件厂商Odyssey官宣出售公司资产。据悉，Odyssey已与客户签署最终协议，将以952万美元（约合人民币0.67亿）现金，将其大部分资产出售给一家大型半导体公司，目前买家信息处于保密状态。
该事项预计将于2024年7月1日左右完成，而Odyssey的事务最早可能在2024年年底结束。业绩方面，Odyssey在2023年实现营收29.19万美元，净利润则亏损447万美元。
值得注意的是，2024年开年至今，除了Odyssey外，还有多家氮化镓企业传来消极消息。据外媒1月4日消息，NexGen Power Systems已在2023年圣诞节前夕倒闭，而其旗下总投资超过1亿美元的晶圆厂也已关闭。
据报道，NexGen倒闭的原因是难以获得风险融资，企业运营举步维艰。但在2023年初，NexGen刚开始交付用于高功率应用的全球首批700V和1200V垂直GaN器件的工程样品，彼时，其还宣布该产品于2023年第三季度开始全面生产；2023年6月，NexGen又宣布与GM通用汽车的合作项目获得美国能源部的资助，所获资金计划用于垂直氮化镓半导体的电动驱动系统。
3月1日，外媒报道，新加坡射频GaN芯片供应商Gallium Semiconductor宣布倒闭，并解雇所有员工。这一决定是由GaasLabs LLC作出的。
据悉，GaasLabs是Gallium的投资公司，对于这一决定的原因，GaasLabs提供的官方原因是：“我们的创始人John Ocampo已经去世。GaasLabs决定不再继续资助Gallium。我们将关闭公司，所有员工都将被解散。”据悉，John Ocampo于2023年11月去世。
降本、扩产进行时
一边是出售资产乃至破产，另一边又有多家相关企业传来好消息。
技术方面，德州仪器（TI）正在将其GaN-on-Si的生产工艺从6英寸向8英寸过渡；大阪大学、丰田合成和松下控股公司松下高清三方合作的GaN衬底开发项目，则在近期成功制备高质量6英寸GaN衬底；住友化学已经成功建立4英寸氮化镓衬底的量产技术，并计划在2024年后开始提供6英寸GaN样品。而在中国，北京大学团队研发了增强型p型栅氮化镓（GaN）晶体管，并首次在高达4500V工作电压下实现低动态电阻工作能力；光州科学技术院电气工程与计算机科学学院Dong-Seon Lee教授的研究团队，则开发出仅采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）的氮化镓半导体远程同质外延技术。
产能方面，晶湛半导体氮化镓（GaN）外延片生产扩建项目于1月份竣工，项目预计年产6英寸GaN外延片12万片，8英寸GaN外延片12万片；立国芯微电子项目已成功规模量产，该项目计划组建中高端芯片封装测试生产线16条，可年产高阶芯片225亿颗；天睿半导体8英寸碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）晶圆厂于今年2月签约落户福州……此外，英诺赛科计划赴港上市的消息也引来业界极大的关注。据悉，英诺赛科计划募资3亿美元，以扩大氮化镓芯片产能。英诺赛科还在2023年11月正式启用其全球研发中心。据悉，研发中心将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地，同时开展大规模量产化工程问题研究，全面提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。
结语
“有人辞官归故里，有人星夜赴考场”，这句话可谓当下氮化镓企业的发展状态的真实写照。事实上，任何一项技术从实验室走向市场，都面临着极大的挑战，市场需求、规模化生产、工艺制程以及成本等都是企业发展道路上的障碍。而在未来，那些具有垂直整合能力、并能保障自身生产链条完整性的企业，相信会在竞争中具有更大优势。
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